最大重复峰值反向电压 VRRM：200V
　　最大有效值电压 Vrms：140V
　　最大直流阻断电压 VDC：200V
　　平均整流电流 IO (半波, 60Hz)：3A
　　峰值正向浪涌电流 Ifsm (8.3ms 半正弦波)：75A
　　正向电压 VFM (@3A, TJ=25°C)：1.45V
　　反向漏电流 IR (@25°C)：200μA
　　反向恢复时间 trr：35ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DO-214AA (SMC)

SBR3U20SA具备卓越的动态响应能力，其反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，这使得它在高频开关操作中表现出极低的开关损耗，显著提升了电源系统的整体效率。这一特性尤其适用于现代高频率工作的开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和LLC谐振转换器。由于其快速恢复特性，能够有效减少因二极管反向恢复引起的电磁干扰（EMI），从而降低对外部滤波电路的要求，有助于简化系统设计并减小整体体积。
　　该器件具有较低的正向导通压降，在3A电流下典型VFM为1.45V，相较于传统快恢复二极管可大幅减少导通损耗，提高能效表现。同时，其较高的峰值浪涌电流承受能力（Ifsm达75A）使其能够在瞬态负载或开机冲击电流较大的应用场景中稳定工作，增强了系统的鲁棒性和可靠性。SBR3U20SA的漏电流控制也非常出色，在室温下最大IR仅为200μA，即使在高温环境下也能维持相对较低的漏电水平，确保待机功耗不会显著上升。
　　采用DO-214AA（SMC）表面贴装封装，SBR3U20SA不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过焊盘优化设计可实现有效的热传导路径。该封装形式兼容自动贴片工艺，适合大规模生产使用。器件内部结构经过优化，具有较高的机械强度和抗热循环能力，能够在反复热应力下保持电气连接的完整性。此外，产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证项目，虽非完全车规型号，但在部分车载辅助电源中也有应用案例。
　　总体而言，SBR3U20SA凭借其高速恢复、低损耗、高浪涌能力和优良热稳定性，成为中等电流、中高压整流应用中的理想选择。其综合性能优于许多标准快恢复二极管，特别适合追求小型化、高效化和高可靠性的现代电源设计需求。

SBR3U20SA广泛应用于各类开关模式电源（SMPS）中，特别是在交流适配器、充电器、LED驱动电源和电信电源模块中作为输出整流或续流二极管使用。由于其200V的反向耐压和3A的平均整流电流能力，适用于次级侧同步整流前级或非对称半桥拓扑中的箝位与续流功能。在DC-DC转换器中，该器件可用于隔离型拓扑（如反激、正激）的输出整流环节，提供快速响应和低损耗的电流回路路径。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和电动工具电源系统中，SBR3U20SA也常被用作保护性箝位二极管或能量回馈通道元件。
　　在消费电子产品领域，如液晶电视、机顶盒、网络路由器等内置电源板中，SBR3U20SA因其高效率和小尺寸封装而受到青睐。工业控制系统中的PLC电源、传感器供电单元以及小型电机驱动电路也常采用该器件进行电源整流和极性保护。由于其良好的温度适应性，可在环境温度变化剧烈的户外设备或封闭式高密度组装设备中稳定运行。值得一提的是，尽管该器件并非专门设计为同步整流替代品，但在某些低成本设计中可作为MOSFET同步整流方案的备选方案，尤其是在轻载或中等负载条件下仍能保持较好的效率表现。

STTH3R20U
　　VS-3EHJ20
　　MBR3U20CT
　　SB3200
　　ES3D