时间：2025/12/26 10:16:39
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SBR30A45CTFP是一款由Vishay Semiconductor生产的肖特基势垒整流器，采用TO-277B封装。该器件专为高效率、高电流密度的开关电源应用而设计，适用于需要低正向压降和快速开关性能的场合。其双共阴极配置允许在全波或桥式整流电路中使用两个独立的二极管，从而简化了PCB布局并提高了功率密度。SBR30A45CTFP具有出色的热性能和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适合用于工业电源、电信设备以及DC-DC转换器等高要求的应用场景。
该器件的最大重复反向电压为45V，确保在低压大电流系统中具备足够的安全裕量。其30A的平均正向整流电流能力使其能够处理较大的负载电流，同时保持较低的导通损耗。此外，SBR30A45CTFP符合RoHS指令，且不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。通过优化芯片设计和封装技术，该整流器实现了极低的内部电感和良好的散热特性，有助于提升整体系统的能效和长期稳定性。
最大重复反向电压（VRRM）：45V
平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
最大正向电压（VF）：0.57V @ 15A, Tc=25°C
最大反向漏电流（IR）：2mA @ 45V, Tc=25°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-277B
安装方式：表面贴装
引脚数：3
热阻（RθJC）：1.2 K/W
SBR30A45CTFP的核心优势在于其卓越的电气与热性能结合，特别适用于高电流、低电压输出的同步整流替代方案。其肖特基势垒结构提供了非常低的正向导通压降，在15A条件下典型值仅为0.57V，显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这种低VF特性在DC-DC降压变换器、服务器电源和电池充电系统中尤为重要，可有效减少发热，延长系统寿命。同时，由于是多数载流子器件，SBR30A45CTFP没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的尖峰电流和电磁干扰问题。
该器件采用双共阴极拓扑结构，即两个阳极共享一个阴极连接，非常适合中心抽头变压器的全波整流拓扑，广泛应用于隔离型开关电源次级侧整流。TO-277B封装不仅体积紧凑，便于实现高密度PCB布局，而且具备优良的散热能力，底部中央的散热焊盘可以直接连接到PCB上的大面积铜箔以增强热传导。这种设计使得即使在高负载条件下，也能将结温控制在安全范围内。此外，器件经过优化的内部引线设计降低了寄生电感，进一步提升了高频下的动态性能。
SBR30A45CTFP的工作结温可达+175°C，表现出优异的高温运行能力，适合在严苛环境如工业自动化设备、车载电源或封闭式电源模块中使用。其宽泛的存储与工作温度范围也增强了产品的环境适应性。制造工艺上，该器件采用先进的平面技术与金属硅界面控制，确保了参数的一致性和长期可靠性。所有材料均符合IPC/JEDEC标准，并通过AEC-Q101认证的部分应力测试，体现了Vishay在功率半导体领域的高质量控制水平。
SBR30A45CTFP广泛应用于各类高效率电源系统中，特别是在需要大电流、低电压输出的直流转换场合。常见用途包括服务器和通信设备中的板载DC-DC转换器，作为次级侧整流元件替代传统的快恢复二极管，大幅提高转换效率并降低温升。在工业电源领域，它可用于PLC电源模块、变频器辅助电源以及UPS不间断电源系统，提供可靠的整流功能。此外，该器件也适用于太阳能逆变器中的旁路保护电路、电动工具充电器以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。
由于其表面贴装封装形式，SBR30A45CTFP非常适合自动化贴片生产流程，支持回流焊工艺，有利于大规模制造。其低高度轮廓使其能在空间受限的设计中使用，例如超薄电源适配器或嵌入式电源解决方案。在电信基础设施中，如基站电源和光网络单元（ONU），该器件可用于+12V或+5V输出的同步整流替代方案，提升能效等级。同时，其高浪涌电流承受能力（150A）使其在存在瞬态负载突变的系统中依然保持稳定运行。
在LED驱动电源、笔记本电脑适配器以及消费类电子产品的AC-DC电源中，SBR30A45CTFP也可作为输出整流二极管使用，尤其适用于多路输出或多相并联架构。凭借其高可靠性与环保特性，该器件还被用于医疗设备电源和测试测量仪器等对安全性要求较高的领域。总之，任何需要高效、紧凑且可靠低压大电流整流解决方案的应用，都是SBR30A45CTFP的理想选择。
SBRT30A45SP5F
SBR30A45CTFP Vishay datasheet
