型号：SBR3060CT
　　封装类型：TO-247
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A（单二极管）
　　总最大平均整流电流（IF(AV) total）：60A（双二极管共用散热）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：200A（单脉冲，8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.57V @ 15A, Tj=25°C；典型值可达0.85V @ 30A, Tj=100°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 60V, Tj=25°C；高温下可增至5mA @ 60V, Tj=125°C
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（RθJC）：约1.0°C/W
　　引脚数量：3（K1, A1, A2 或 K, A1, A2 取决于制造商定义）

SBR3060CT的核心特性之一是其极低的正向导通压降，这主要得益于其采用的肖特基势垒技术。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，显著降低了载流子注入所需的电压，从而实现更低的VF值。在大电流应用中，如30A级别下，即使压降降低0.2V也能大幅减少功率损耗（Ploss = VF × IF），进而提升电源系统的整体能效。例如，在DC-DC变换器中使用SBR3060CT作为输出整流元件，可以明显降低温升并提高转换效率。
　　另一个关键优势在于其零反向恢复时间（trr ≈ 0）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流尖峰。这一点对于高频开关电路尤为重要，因为它避免了因反向恢复引起的电磁干扰（EMI）增加和额外的开关损耗，有助于简化滤波设计并提升系统可靠性。此外，SBR3060CT内部为双二极管共阴极结构，允许在全波同步整流拓扑中直接使用，节省空间并简化PCB布局。
　　该器件具有出色的热稳定性与长期可靠性。其额定工作结温高达+150°C，并可在恶劣环境温度下持续运行。TO-247封装提供了较大的金属背板面积，便于安装到散热器上，实现高效的热管理。在实际应用中，合理设计散热路径可使器件长时间承载接近极限电流而不过热。此外，SBR3060CT具备较高的浪涌电流承受能力（200A），能够在电源启动或瞬态过载情况下保持安全运行，增强了系统的鲁棒性。最后，该器件符合工业级质量标准，经过严格的测试验证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等可靠性试验，确保在严苛工况下的长期稳定性。

SBR3060CT广泛应用于各类高效率、大电流的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于输出端的次级整流环节，特别是在低压大电流输出（如5V/12V@数十安培）的AC-DC适配器、服务器电源和通信电源中表现优异。由于其低VF和无反向恢复特性，能显著提升轻载和满载条件下的转换效率，满足能源之星和80 PLUS等能效认证要求。
　　在直流-直流（DC-DC）变换器中，SBR3060CT适用于非隔离型降压（Buck）、升压（Boost）以及同步整流拓扑结构。尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中，多个SBR3060CT并联使用可分担电流，提高系统冗余性和散热均匀性。此外，该器件也常见于电池充电系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源中，作为防反接或能量回馈路径的整流元件。
　　在电机驱动和逆变器系统中，SBR3060CT可用于钳位二极管或续流二极管，保护功率MOSFET或IGBT免受感性负载关断时产生的反电动势冲击。其快速响应能力和低损耗特性有助于提升驱动效率并减少发热。另外，在汽车电子辅助电源、工业控制电源模块及LED驱动电源中也有广泛应用。得益于其紧凑的TO-247封装和高性能指标，SBR3060CT成为许多工程师在设计高密度、高效率电源方案时的首选肖特基二极管之一。

SR3060
　　MBR3060CT
　　STPS3060CT
　　B540C-1000
　　VS-30CPQ060