SBR3040CT 时间：2025/12/26 9:57:04 阅读：11

SBR3040CT是一款高性能的肖特基势垒二极管，采用双共阴极配置，专为高效率、高频率的整流应用而设计。该器件由ON Semiconductor（安森美）生产，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和续流二极管等场合。SBR3040CT具有低正向压降和快速恢复特性，使其在高频工作条件下表现出色，能有效降低功耗并提升系统整体效率。其封装形式为TO-247AC，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于需要高功率密度和高可靠性的工业级电源系统。
　　该器件的最大重复反向电压（VRRM）为40V，额定平均整流电流可达30A，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。由于其低损耗特性，SBR3040CT特别适合用于大电流、低压输出的同步整流替代方案中，尽管它本身并非同步整流控制器，但在某些非隔离式拓扑结构中可作为高效整流元件使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的抗浪涌能力，能够在瞬态负载变化或启动过程中提供稳定的电气保护。

参数

型号：SBR3040CT
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大重复反向电压 VRRM：40V
　　最大直流阻断电压 VR：40V
　　平均整流电流 IO（单个阳极）：15A
　　总平均整流电流 IO（共阴极对）：30A
　　正向压降 VF（典型值）：0.56V @ 15A, 125°C
　　峰值浪涌电流 IFSM：300A（半正弦波，8.3ms）
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　引脚数：3
　　安装方式：通孔安装
　　反向漏电流 IR（最大值）：1.0mA @ 40V, 25°C；10mA @ 40V, 125°C
　　热阻 RθJC（典型值）：1.0°C/W（每个芯片到外壳）

特性

SBR3040CT的核心优势在于其优异的电学性能与热管理能力，这使其成为中高压大电流应用中的理想选择。首先，其低正向导通压降显著降低了导通期间的能量损耗，尤其在大电流运行状态下效果更为明显。例如，在15A电流和125°C结温条件下，典型VF仅为0.56V，这意味着每通道的导通功耗大约为8.4W，远低于传统快恢复二极管。这种低损耗特性不仅提高了电源转换效率，还减少了散热器尺寸需求，有助于实现紧凑型电源设计。
　　其次，作为一款肖特基二极管，SBR3040CT具备极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr < 10ns），从而避免了因反向恢复电荷引起的开关尖峰和电磁干扰问题。这一特性对于高频开关电路如DC-DC变换器、有源钳位反激拓扑以及LLC谐振转换器至关重要，可以有效减少开关应力，提高系统的EMI兼容性。
　　再者，该器件采用双共阴极结构，允许两个独立的阳极共享一个公共阴极，非常适合全波整流或双路输出拓扑应用。TO-247AC封装提供了优良的散热路径，确保即使在恶劣工作环境下也能维持较低的结温升，延长器件寿命。此外，宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使SBR3040CT适用于极端环境下的工业、通信和汽车电子系统。
　　最后，SBR3040CT具备较强的抗浪涌能力，能够承受高达300A的峰值浪涌电流，保证在电源启动或负载突变时不会发生击穿。综合来看，该器件结合了高可靠性、高效率和高功率处理能力，是现代高密度电源系统中不可或缺的关键组件。

应用

SBR3040CT主要应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。其最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中表现突出。由于其低正向压降和无反向恢复特性，常被用于同步整流架构尚未普及或成本受限的应用中，以提升整体转换效率。此外，该器件也广泛用于服务器电源、电信整流模块、工业电源设备以及UPS不间断电源系统中，承担主输出整流任务。
　　在太阳能逆变器和电机驱动系统中，SBR3040CT可用作续流二极管（Freewheeling Diode），帮助释放感性负载中的储能，防止电压反冲损坏开关器件。其快速响应能力和高浪涌耐受性在此类动态负载场景下尤为重要。同时，该器件也被应用于电池充电系统和焊接设备中，支持高电流持续导通需求。
　　得益于其TO-247AC封装带来的良好散热性能，SBR3040CT适用于自然冷却或强制风冷的高功率密度设计。在车载电源、铁路电子和工业自动化控制板中也有广泛应用。此外，由于其符合RoHS标准，可用于对环保要求较高的终端产品制造中。总之，凡是在40V以下、需处理30A级整流电流的场景，SBR3040CT都是一个极具竞争力的选择。