时间：2025/12/26 8:39:41
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SBR30200CT是一款高性能的双肖特基势垒整流器，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用TO-247封装，具备极低的正向电压降和快速的反向恢复特性，非常适合用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及高频率整流电路中。SBR30200CT内部集成了两个共阴极连接的肖特基二极管，每个二极管可承载高达30A的平均正向电流，在高温环境下仍能保持稳定工作。由于其200V的重复峰值反向电压能力，该器件可在较宽的输入电压范围内可靠运行，适用于工业电源、太阳能逆变系统及不间断电源（UPS）等对效率和可靠性要求较高的场合。此外，SBR30200CT具有优良的热性能，通过优化的芯片设计和封装结构实现了高效的散热管理，确保在高负载条件下长期稳定运行。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌电流能力和较低的漏电流，提升了系统的整体安全性与能效表现。
型号：SBR30200CT
封装类型：TO-247
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
最大直流阻断电压（VR）：200V
平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
每芯片最大正向电流（IFSM）：150A（半波，60Hz）
最大正向电压降（VF）：0.88V @ 15A, 25°C（典型值）
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 200V, 25°C；5mA @ 200V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W（最大值）
二极管配置：双共阴极
安装方式：通孔安装
SBR30200CT的核心优势在于其卓越的电学性能和热稳定性，特别适合在高功率密度和高频操作环境中使用。首先，其低正向导通压降显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体转换效率。例如，在15A的工作电流下，典型正向压降仅为0.88V，相较于传统硅二极管可大幅减少发热，从而降低散热设计复杂度和成本。其次，作为肖特基二极管，它具备零反向恢复时间或极短的反向恢复时间，这意味着在高频开关过程中不会产生额外的开关损耗，避免了因反向恢复电荷引起的电磁干扰（EMI）问题，这对提高DC-DC变换器和PFC电路的效率至关重要。
该器件采用先进的平面工艺制造，确保了芯片的一致性和可靠性。双共阴极结构使其非常适合中心抽头式全波整流拓扑，广泛应用于大电流输出的开关电源次级侧整流。同时，SBR30200CT具备出色的浪涌电流承受能力，能够应对瞬态过载情况，如开机冲击电流，增强了系统鲁棒性。其宽广的工作结温范围（-65°C至+175°C）表明其在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制和可再生能源系统等严苛应用场景。
此外，TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，便于通过外部散热器将热量迅速导出，延长器件寿命。该封装形式也便于自动化装配和维修更换。SBR30200CT的设计充分考虑了现代电源系统对小型化、高效化和高可靠性的需求，结合了高性能半导体材料与优化的封装技术，是中高功率整流应用中的理想选择。
SBR30200CT主要应用于需要高效率、大电流整流的电力电子系统中。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在输出整流阶段用于替代传统的快恢复二极管以提升能效。在通信电源、服务器电源和工业电源模块中，该器件可用于次级侧全波整流，配合中心抽头变压器实现稳定的大电流直流输出。此外，在DC-DC转换器中，特别是在低压大电流输出的同步整流架构尚未普及或成本受限的情况下，SBR30200CT凭借其低VF特性仍具有重要价值。
在可再生能源领域，该器件广泛用于太阳能光伏逆变器的旁路和防逆流电路中，防止电池板在阴影遮挡时发生热斑效应，并确保能量单向流动。同时，它也可用于风力发电系统的整流单元，处理交流电转化为直流电的过程。在不间断电源（UPS）系统中，SBR30200CT常被用作逆变器输出整流或电池充放电回路中的关键元件，保障系统在市电中断时平稳切换。
其他应用还包括焊接设备、电机驱动器、电动汽车充电模块以及大功率LED驱动电源等。这些应用均要求元器件具备高可靠性、耐高温和低功耗的特点，而SBR30200CT正好满足这些需求。由于其双二极管共阴极结构，特别适合构建紧凑型全波整流电路，节省PCB空间并简化布局设计。
SB30200CT
MBR30200CT
B30200C
