时间：2025/12/26 9:17:45
阅读：17
SBR30150CT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的30A肖特基势垒整流二极管，采用TO-247AC封装。该器件专为高电流、低压降应用而设计，适用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及工业电机驱动等电力电子系统中。SBR30150CT具有双共阴极配置，即在一个封装内集成两个独立的肖特基二极管，其阴极在内部连接在一起，适合中心抽头整流电路或并联使用以提高电流能力。由于采用了先进的平面工艺和金属-半导体结技术，该器件表现出较低的正向导通压降（VF），有助于降低功耗并提升整体效率。同时，其快速反向恢复特性使其特别适合高频工作环境，可有效减少开关损耗。SBR30150CT具备良好的热性能，TO-247封装允许通过散热器实现高效散热，确保在高温环境下稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性和长期稳定性，广泛应用于通信电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源及各类工业控制设备中。
类型：肖特基势垒二极管
配置：双共阴极
最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
最大直流阻断电压（VR）：150V
平均整流电流（IF(AV)）：30A
峰值浪涌电流（IFSM）：200A
最大正向压降（VF）：950mV @ 15A, Tj=125°C
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 150V, Tj=125°C
工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
热阻抗（Rth(j-c)）：1.5°C/W
封装形式：TO-247AC
安装类型：通孔
SBR30150CT的核心优势在于其低正向压降与高电流处理能力的结合，这使得它在大功率整流应用中表现优异。在典型工作条件下，当每个二极管通过15A电流且结温达到125°C时，其正向压降仅为950mV，显著低于传统硅PN结二极管，从而大幅减少了导通损耗，提升了系统能效。这一特性对于注重能源效率的应用如服务器电源、电信整流模块和新能源发电系统尤为重要。
该器件采用双共阴极结构，便于在全波整流电路中与变压器中心抽头配合使用，简化了PCB布局并减少了寄生电感。此外，这种配置也支持两个二极管并联运行，进一步增强电流承载能力，适用于需要持续输出高直流电流的场合。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，因此不存在少数载流子存储效应，反向恢复时间极短（接近零），几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的电磁兼容性与可靠性。
SBR30150CT具有出色的热管理能力，TO-247封装不仅机械强度高，而且热传导路径短，能够将芯片产生的热量迅速传递至外部散热器。其结到外壳的热阻仅为1.5°C/W，意味着即使在满负荷运行下也能保持较低的温升，延长器件寿命。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应极端环境条件，适用于工业级甚至部分严苛环境下的应用。同时，该器件对瞬态过电流有较强耐受能力，额定浪涌电流可达200A，可在启动或异常工况下提供一定保护。
在制造工艺方面，SBR30150CT采用先进的平面扩散技术和银烧结工艺，确保芯片与底板之间的连接牢固可靠，增强了器件的抗热循环能力和长期稳定性。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求，也可用于汽车辅助电源系统。尽管其反向耐压为150V，在同类肖特基二极管中属于中等水平，但已足以覆盖大多数48V系统、三相PFC输出整流及电池充电器等应用场景。需要注意的是，肖特基二极管的反向漏电流随温度升高而增加，因此在高温环境中应加强散热设计以防止热失控。
SBR30150CT广泛应用于多种高效率电源转换系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低压大电流输出场景下，如服务器电源、通信基站电源模块等。其低VF特性有助于提升整体转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。在DC-DC变换器中，该器件常用于同步整流替代方案或作为续流二极管，用于抑制电感反电动势。在太阳能光伏逆变器中，SBR30150CT可用于直流侧防反接保护或MPPT电路中的整流元件。此外，它还适用于不间断电源（UPS）、焊接设备、电机驱动器中的续流路径以及电池充电系统中，尤其是在需要快速响应和低损耗的场合。由于其高浪涌电流承受能力，也可用于输入端的瞬态电流抑制。工业自动化控制系统、铁路牵引辅助电源及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源部分也是其典型应用领域。凭借其高可靠性与紧凑封装，SBR30150CT成为现代电力电子设计中理想的高性能整流解决方案之一。
VS-B30150CN-M3
