SBR20U60CTFP 时间：2025/12/26 9:48:08 阅读：12

SBR20U60CTFP是一款高性能的双肖特基势垒整流器，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统效率。其额定最大重复反向电压为60V，平均整流电流可达20A，适用于需要大电流、低压输出的应用场景。SBR20U60CTFP封装在紧凑的TO-220FP或类似功率封装中，具备良好的热性能，可有效将芯片产生的热量传导至散热器或PCB上，从而确保在高负载条件下稳定运行。该器件无反向恢复时间（trr ≈ 0），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复损耗与噪声，特别适合用于高频开关电源拓扑结构。
　　该器件广泛应用于计算机主板VRM（电压调节模块）、服务器电源、DC-DC转换器、有源钳位同步整流、电信设备电源以及电池充电管理系统等场合。由于其双共阴极配置，两个独立的肖特基二极管共享同一封装内的阴极连接，可在多相整流电路中灵活使用，提升布局密度和系统集成度。SBR20U60CTFP符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，在现代绿色电子产品中具有重要地位。此外，该器件对瞬态电压和浪涌电流具有一定的耐受能力，能够在恶劣工作环境下保持可靠运行。

参数

类型：双肖特基势垒整流器
　　配置：共阴极双二极管
　　最大重复反向电压 (VRRM)：60V
　　最大直流阻断电压 (VR)：60V
　　平均整流电流 (IO)：20A
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：80A（单半波）
　　最大正向电压降 (VF)：0.54V @ 10A, Tc=25°C
　　最大反向漏电流 (IR)：1.0mA @ 60V, Tc=25°C
　　工作结温范围 (TJ)：-65°C 至 +175°C
　　热阻抗 (RθJC)：约 1.5°C/W
　　封装形式：TO-220FP
　　安装方式：通孔安装
　　极性：双共阴极

特性

SBR20U60CTFP的核心优势在于其卓越的电学性能与高效的能量转换能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体接触形成整流结，而非传统的P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，实现了零反向恢复时间（trr）。这一特性使得它在高频开关电源中表现优异，能有效减少开关过程中的动态损耗和电磁干扰（EMI），提升整体电源效率。尤其是在多相DC-DC变换器中，多个SBR20U60CTFP并联使用时，可以显著降低每相的导通损耗，满足现代处理器对低电压、大电流供电的需求。
　　该器件的最大平均整流电流为20A，可在高温环境下持续运行，得益于其优化的芯片布局和高导热封装设计。其正向压降典型值仅为0.54V（在10A、25°C条件下），相比传统硅二极管降低了约30%-40%，直接减少了I2R导通损耗，提高了系统能效。同时，较低的VF也有助于减小温升，延长器件寿命，并允许更紧凑的散热设计。此外，SBR20U60CTFP的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应极端环境下的工业与通信应用需求。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的AEC-Q101等车规级测试（如适用型号），具备良好的抗热冲击和机械稳定性。其反向漏电流控制在1.0mA以内（60V, 25°C），虽高于普通PN结二极管，但在正常工作温度范围内仍处于可接受水平。封装采用TO-220FP形式，底部绝缘且便于安装散热片，支持手动或自动焊接工艺，兼容波峰焊与回流焊流程。整体结构坚固，引脚强度高，适合批量生产中的自动化装配流程。

应用

SBR20U60CTFP主要用于需要高效、低压、大电流整流的电源系统中。典型应用包括服务器和高端计算机主板的VRM（电压调节模块），其中作为同步整流或续流二极管使用，配合MOSFET实现高效率DC-DC降压转换。在通信基站电源、路由器和交换机的板载电源模块中，该器件用于次级侧整流，提供稳定的低压输出。此外，它也广泛应用于工业电源、嵌入式控制系统、LED驱动电源以及电池充电管理电路中，特别是在要求高效率和小体积的设计中表现出色。
　　由于其双共阴极结构，SBR20U60CTFP特别适合用于双路或多相整流拓扑，例如双通道BUCK转换器，能够简化PCB布线并提高功率密度。在太阳能逆变器和UPS不间断电源的部分辅助电源电路中，也可用作防反接或隔离二极管。此外，因其快速响应特性，还可用于高频开关电源中的输出整流环节，替代传统快恢复二极管以降低损耗。在电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换器的辅助电源部分，若工作电压在60V以下，也可考虑使用该类器件进行低压整流。总之，凡涉及低压大电流、高频率、高效率整流的场景，SBR20U60CTFP均是一个理想选择。