时间：2025/12/26 9:35:44
阅读：21
SBR2060CTFP是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用中心抽头双二极管结构，适用于高效率电源转换和整流应用。该器件由ON Semiconductor（安森美）生产，具备低正向电压降、快速开关响应和高电流处理能力等优点，广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中。SBR2060CTFP采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产工艺。
SBR2060CTFP的额定重复反向电压为60V，平均整流电流可达20A，能够在高温环境下稳定工作，最大结温可达150°C。其内部结构设计优化了电流传导路径，减少了寄生电感和电阻，提升了整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对绿色制造的要求。由于其出色的电气性能和可靠性，SBR2060CTFP常用于通信设备电源模块、工业控制系统、服务器电源及消费类电子产品的电源管理单元中。
型号：SBR2060CTFP
制造商：ON Semiconductor
器件类型：肖特基势垒二极管（中心抽头）
封装形式：DPAK（TO-252）
最大重复反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IO）：20A
峰值浪涌电流（IFSM）：80A
正向电压降（VF）：典型值0.55V（在10A时），最大值0.7V（在20A时）
反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在60V、25°C下）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻抗（RθJC）：1.0°C/W
引脚数：3
SBR2060CTFP的核心优势在于其低正向电压降与高电流承载能力的结合，这使得它在大功率密度电源系统中表现出色。其正向压降在典型工作条件下仅为0.55V左右，在20A满载时也不超过0.7V，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这种低VF特性尤其适用于低压大电流输出的应用场景，例如5V或3.3V输出的DC-DC变换器，能够有效减少发热，提升系统整体能效。
该器件采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr < 10ns），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电荷问题。这一特性使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流、有源钳位等电路中，有助于降低电磁干扰（EMI）并提高系统稳定性。
SBR2060CTFP采用中心抽头配置的双二极管结构，等效于两个独立的肖特基二极管共阴极连接，常用于全波整流电路，特别适用于LLC谐振转换器或双端推挽式拓扑中的次级侧整流。该结构简化了PCB布局，减少了元件数量，提高了功率密度。
DPAK（TO-252）封装提供了优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，支持高功率持续运行。同时，该封装适合回流焊工艺，兼容自动化生产流程，提升了制造效率与产品一致性。器件还具备良好的抗热冲击能力，可在剧烈温度变化环境中可靠工作。
此外，SBR2060CTFP通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在汽车电子应用中也具备高可靠性，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块等场景。综合来看，SBR2060CTFP是一款集高效、高可靠性与紧凑设计于一体的先进功率二极管解决方案。
SBR2060CTFP主要应用于各类需要高效整流和低损耗电源转换的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源和工业电源模块中的次级整流部分。由于其低正向压降和高电流能力，它被广泛用于DC-DC降压转换器中，尤其是在多相供电架构中作为输出整流元件，帮助实现高效率的能量传递。
在便携式设备和高性能计算平台中，如笔记本电脑、工作站和网络交换机的电源管理单元中，SBR2060CTFP用于将变压器次级输出进行全波整流，配合中心抽头变压器使用，构成高效的低压大电流电源系统。其快速响应特性也有助于抑制电压过冲和振铃现象，提升电源质量。
该器件同样适用于逆变器电路、电池管理系统（BMS）中的防反接保护电路，以及太阳能微逆变器中的能量回收路径。在汽车电子领域，得益于其通过AEC-Q101认证，SBR2060CTFP可用于车载充电机（OBC）、车载DC-DC转换器和辅助电源系统，满足严苛的环境温度与振动要求。
此外，在LED驱动电源、电信整流器和UPS不间断电源系统中，该器件也能发挥其高效率、高可靠性的优势。其表面贴装封装形式便于实现紧凑型设计，适用于空间受限但功率需求较高的应用场景。
SR20H60CTL-D, SBRT2060CTFP, MBR2060CT
