时间：2025/12/26 9:27:55
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SBR2045CTFP是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Rectifier），采用中心抽头（Center Tap）配置，专为高效率、低电压整流应用设计。该器件由两个独立的肖特基二极管共阴极连接，封装在紧凑的全塑表面贴装Power33（TO-277AD）封装中，具备优良的散热性能和空间利用率。SBR2045CTFP广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电池充电系统以及高频整流电路中，尤其适用于对效率和热管理要求较高的便携式电子设备和工业电源系统。其低正向压降和快速恢复特性显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体电源转换效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合现代绿色电子产品制造需求。SBR2045CTFP的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，能够在严苛的环境条件下稳定运行，具备良好的可靠性和长期稳定性。
类型：肖特基势垒二极管
配置：中心抽头（双二极管共阴极）
最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
最大直流阻断电压（VR）：45V
平均整流电流（IO）：20A
正向连续电流（If）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A（单个二极管）
正向压降（VF）：0.53V（典型值，@ IF = 10A, TJ = 25°C）
最大正向压降（VF）：0.6V（@ IF = 10A, TJ = 25°C）
反向漏电流（IR）：2mA（最大值，@ VR = 45V, TJ = 25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装：Power33（TO-277AD）
安装类型：表面贴装（SMD）
热阻（RθJA）：约2.5°C/W（依PCB布局而定）
热阻（RθJC）：约0.5°C/W
SBR2045CTFP的核心优势在于其低正向压降特性，这使得它在大电流整流应用中能够显著降低功耗并减少发热。在10A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.53V，最大不超过0.6V，相较于传统硅整流二极管可节省高达30%以上的导通损耗。这一特性对于提高电源系统的整体效率至关重要，尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，如用于服务器、通信设备或笔记本电脑电源模块。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而消除了少数载流子的储存效应，实现了极快的开关速度和近乎瞬时的反向恢复响应。由于没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），SBR2045CTFP在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效抑制了电磁干扰（EMI）并减少了开关管的应力，提升了系统可靠性。
其内部结构为中心抽头配置，即两个独立的肖特基二极管共用一个阴极输出端，常用于全波整流拓扑中，例如同步整流或中心抽头变压器次级整流电路。这种设计简化了外围电路布局，减少了元件数量，并提高了功率密度。Power33（TO-277AD）封装具有优异的热传导性能，底部带有大面积散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，确保器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。该封装还支持自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，满足现代SMT生产线的需求。SBR2045CTFP具备良好的抗浪涌能力，可承受高达80A的峰值浪涌电流（单个二极管），使其在面对输入电压突变或启动冲击时具备更强的鲁棒性。此外，其反向漏电流控制在2mA以内（@45V, 25°C），虽然随着温度升高会有所增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平。综合来看，SBR2045CTFP是一款兼顾高效、紧凑与可靠性的先进功率整流器件，特别适合追求高能效和小型化的现代电源设计方案。
SBR2045CTFP广泛应用于各类需要高效低压整流的电力电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在笔记本适配器、LCD电视电源板和小型工业电源模块中；DC-DC降压或升压转换器中的同步整流替代方案，用于提升转换效率；太阳能微逆变器中的能量回馈路径；电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路；以及电信设备、网络交换机和服务器电源单元（PSU）中的辅助电源整流。由于其具备中心抽头结构，特别适用于使用中心抽头变压器的全波整流拓扑，常见于LLC谐振变换器或正激变换器的副边整流部分。此外，在便携式医疗设备、工业手持终端和LED驱动电源中，SBR2045CTFP凭借其小尺寸和高效率优势，也成为理想的整流选择。在汽车电子领域，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但在非安全相关的车载充电或辅助电源系统中也有一定应用潜力。总之，凡是对效率、温升和空间有较高要求的大电流低压整流场合，SBR2045CTFP均能提供出色的性能表现。
SR20H45CT
SBR20H45CT
MBR2045CT
