时间：2025/12/26 11:32:01
阅读：13
SBR2045CT-G是一款由Vishay Semiconductor生产的肖特基势垒二极管，采用TO-277B封装。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，具有低正向电压降和快速恢复特性，适用于电源整流、DC-DC转换器以及逆变器等电力电子系统中。其双共阴极配置（中心抽头）结构使其在全波整流电路中表现优异，能够有效减少元件数量并提升系统集成度。SBR2045CT-G符合RoHS指令要求，并具备无卤素环保特性，适合现代绿色电子产品的需求。该器件能够在高温环境下稳定运行，工作结温范围可达-65°C至+175°C，展现出良好的热稳定性和可靠性。此外，其表面贴装封装形式便于自动化生产装配，提高了制造效率与一致性。由于其出色的电气性能和坚固的构造，SBR2045CT-G广泛应用于工业电源、通信设备、消费类电子及新能源领域。
型号：SBR2045CT-G
制造商：Vishay Semiconductor
器件类型：肖特基势垒二极管
配置：双共阴极（中心抽头）
最大重复反向电压（VRRM）：45V
平均整流电流（IO）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A（8.3ms半正弦波）
最大直流阻断电压（VR）：45V
最大正向电压降（VF）：0.54V @ 10A, 0.61V @ 15A, 0.68V @ 20A
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 50mA @ 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-277B
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻结到外壳（RθJC）：1.5°C/W
热阻结到环境（RθJA）：取决于PCB布局和散热条件
SBR2045CT-G的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。这种肖特基二极管采用先进的金属-半导体结技术，利用铂或钛等贵金属与硅形成势垒，从而显著降低载流子注入所需的能量，使得在大电流条件下仍能保持较低的VF值。例如，在20A电流下，其典型正向压降仅为0.68V，相比传统PN结二极管可大幅减少功率损耗，提高整体能效。这一特性对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要，有助于延长续航时间并减少散热需求。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎为零，极大地抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的动态响应能力和稳定性。
该器件的双共阴极拓扑结构特别适用于同步整流或全波整流拓扑，如LLC谐振变换器、有源钳位反激电源等，允许使用单个封装实现两个二极管的功能，节省PCB空间并简化布局布线。TO-277B封装具备优良的热传导性能，底部中央裸露焊盘可直接连接至PCB地平面或散热区域，有效降低热阻，确保长时间高负载运行下的可靠性。此外，SBR2045CT-G通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、机械振动和长期老化测试中均表现出卓越的耐用性，适合严苛环境下的应用。其宽泛的工作温度范围使其不仅可用于工业级设备，也能胜任车载充电机、DC-DC转换器等对可靠性要求极高的场景。综合来看，SBR2045CT-G凭借其高效、紧凑、可靠的特性，成为现代高功率密度电源设计中的理想选择之一。
SBR2045CT-G广泛应用于各类需要高效整流功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中作为输出整流二极管，利用其低正向压降来提升转换效率。它也常用于服务器电源、电信整流器、基站电源等通信基础设施设备中，以满足高能效和高可靠性的双重需求。在便携式电子设备如笔记本电脑适配器和平板充电器中，该器件有助于实现小型化和轻量化设计。此外，由于其具备良好的瞬态响应能力，SBR2045CT-G还适用于光伏微逆变器、LED驱动电源以及不间断电源（UPS）系统中的续流与防倒灌保护电路。
在新能源领域，该二极管可用于电动汽车车载充电机（OBC）和辅助电源模块中，支持宽温域下的稳定运行。工业控制系统的电机驱动器、PLC电源模块以及焊接设备中的高频整流环节也是其典型应用场景。得益于其表面贴装封装和自动化装配兼容性，SBR2045CT-G非常适合大规模回流焊生产工艺，广泛应用于自动化生产线。同时，其符合RoHS与无卤素标准，满足国际环保法规要求，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。总体而言，凡是涉及中等电压、大电流、高频率整流需求的应用，SBR2045CT-G都能提供稳定高效的解决方案。
SBRT2045CT-G
MBR2045CT-G
B340LB-13-F
