时间：2025/10/31 15:57:35
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SBR1A20T5-7是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Rectifier），采用表面贴装SMA（DO-214AC）封装。该器件专为高效率、低电压应用而设计，具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护等电路中。SBR1A20T5-7的额定平均整流电流为1A，最大重复峰值反向电压为20V，非常适合低压大电流应用场景。其结构基于肖特基势垒技术，避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而显著提升了开关速度并降低了开关损耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen Free）特性，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于采用SMA封装，SBR1A20T5-7在PCB上占用空间小，适合高密度组装环境，广泛应用于消费类电子、便携式设备、通信模块及工业控制等领域。
器件类型：肖特基二极管
配置：单路
最大重复峰值反向电压(VRRM)：20V
最大直流阻断电压(VR)：20V
最大有效值电压(VRMS)：14V
最大平均整流电流(IO)：1A
峰值浪涌电流(IFSM)：30A
最大正向电压降(VF)：0.48V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流(IR)：0.5mA @ 20V, 25°C
工作结温范围(TJ)：-65°C 至 +125°C
存储温度范围(Tstg)：-65°C 至 +150°C
封装/外壳：SMA (DO-214AC)
安装类型：表面贴装(SMD)
SBR1A20T5-7的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.48V，这一性能显著优于传统的硅PN结二极管（通常VF在0.7V以上）。低VF意味着更低的导通损耗，提高了系统整体效率，尤其在电池供电或能量敏感型应用中具有重要意义。该特性使得该器件特别适合用于低压输出的DC-DC转换器中作为续流二极管或整流元件，有助于减少发热并提升能效。
另一个关键优势是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储时间问题，因此反向恢复时间极短（通常小于10ns），几乎可以忽略不计。这使其在高频开关电路中表现优异，能够有效降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高电源系统的稳定性和可靠性。相比普通快恢复二极管，SBR1A20T5-7更适合工作在数百kHz甚至MHz级别的开关频率环境中。
该器件采用SMA封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产。其小型化外形（约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm）适合紧凑型PCB布局，广泛用于智能手机充电模块、USB电源管理、LED驱动电源等空间受限的应用场景。同时，SBR1A20T5-7具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM=30A），能够在瞬态过流条件下提供一定的耐受能力，增强了系统鲁棒性。
在可靠性方面，该器件经过严格的工业级测试，可在-65°C至+125°C的结温范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电子设备。其反向漏电流控制在0.5mA以内（20V, 25°C），虽然略高于高压二极管，但在20V低电压系统中仍处于可接受范围。总体而言，SBR1A20T5-7以其高效、快速、小型化和高可靠性的特点，成为现代低压整流应用中的理想选择。
SBR1A20T5-7广泛应用于各类需要高效低压整流的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在输出电压低于5V的同步整流替代方案尚未普及的小功率电源中，该器件凭借其低VF特性有效提升转换效率。它也常用于DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管，确保电感电流在开关管关断期间持续流通，防止电压尖峰损坏主控芯片。
在电池充电与管理系统中，SBR1A20T5-7可用于防止电池反向放电或实现多电源路径切换，例如在主电源断开时自动切换到备用电池供电。其低导通压降减少了能量浪费，延长了电池续航时间。此外，该器件还被用于USB接口的电源保护电路中，防止外部反接或异常电压冲击导致主控IC损坏。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机充电盒中，SBR1A20T5-7因其小型SMA封装和高效率特性而被广泛采用。它也可用于LED照明驱动电路中的防倒灌二极管，保证电流单向流动。工业控制领域中，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元的极性保护和整流环节。
其他应用还包括逆变器、适配器、便携式医疗设备、IoT终端设备等对尺寸和功耗有严格要求的场合。由于其具备良好的温度稳定性和抗浪涌能力，即使在瞬态负载变化或启动冲击下也能保持稳定运行，进一步拓展了其适用范围。
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"SB120ALT3G",
"1N5819WS",
"MBR120U",
"SS12",
"AP2112L-7"
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