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SBR1045CT 发布时间 时间:2025/12/26 11:12:43 查看 阅读:13

SBR1045CT是一款高性能的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Rectifier),采用双二极管共阴极配置,封装形式为TO-220AB,广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要高效整流的电力电子系统中。该器件由多个半导体制造商生产,例如Diodes Incorporated、ON Semiconductor等,具有低正向压降、高电流能力以及快速开关特性,使其在高效率电源设计中表现出色。SBR1045CT中的“SBR”通常代表肖特基整流器,“10”表示其平均整流电流为10A,“45”表示其最大反向重复电压为45V,“CT”则指其为共阴极双二极管结构(Common Cathode)。
  由于采用了肖特基势垒技术,SBR1045CT避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应,从而实现了极快的反向恢复速度,几乎无反向恢复电荷(Qrr),显著降低了开关损耗,特别适用于高频工作环境。此外,其TO-220封装具备良好的热传导性能,可通过散热片有效将热量导出,确保器件在大电流工作条件下的可靠性与稳定性。SBR1045CT的工作结温范围通常为-65°C至+175°C,适合在严苛工业和汽车环境中使用。

参数

类型:双肖特基势垒二极管(共阴极)
  最大重复反向电压(VRRM):45V
  最大直流反向电压(VR):45V
  平均整流电流(IO):10A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):200A(单半正弦波,8.3ms)
  正向压降(VF):0.53V(典型值,@ IF=5A, TJ=25°C);0.58V(最大值,@ IF=5A, TJ=25°C)
  反向漏电流(IR):0.5mA(典型值,@ VR=45V, TJ=25°C);5mA(@ VR=45V, TJ=125°C)
  反向恢复时间(trr):≤ 15ns(近似为零,因肖特基结构无少子存储)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +175°C
  封装:TO-220AB
  引脚数:3
  热阻(RθJC):约1.5°C/W

特性

SBR1045CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种金属-半导体接触机制使得器件在正向导通时具有非常低的电压降,通常在0.53V左右(@5A),远低于传统硅PN结二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性直接提升了电源系统的整体效率,尤其是在低压大电流输出的应用中,如5V或3.3V的DC-DC变换器,能够显著减少导通损耗。此外,由于没有PN结中的少数载流子注入和复合过程,SBR1045CT几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),其反向恢复时间(trr)可低至几纳秒甚至更短,这极大减少了开关过程中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰(EMI),同时降低了主开关管(如MOSFET)的关断损耗,提高了系统的工作频率上限。
  该器件设计为双二极管共阴极结构,两个阳极共享一个公共阴极,非常适合用于全波整流或同步整流拓扑中的续流路径。其10A的持续整流电流能力结合高达200A的浪涌电流耐受能力,使其能够在瞬态负载或启动冲击条件下稳定运行。TO-220AB封装不仅机械强度高,而且具备优良的热传导性能,结到壳的热阻约为1.5°C/W,允许通过外接散热器将功耗有效散发,确保长时间高负荷工作的可靠性。SBR1045CT还具有宽泛的工作温度范围,从-65°C到+175°C,使其适用于极端环境下的工业控制、通信电源、太阳能逆变器以及车载电子设备等场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对绿色环保的要求。其高可靠性和成熟工艺也保证了长期供货能力和批次一致性,是工程师在中低电压、大电流整流设计中的优选方案之一。

应用

SBR1045CT因其低正向压降、高电流能力和快速响应特性,被广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在隔离式反激、正激和推挽拓扑中作为输出整流二极管,用于提高整体转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中,它常被用作续流二极管(Freewheeling Diode),在MOSFET关断期间提供电感电流回路,防止电压反冲损坏主开关器件。由于其低VF和近乎零的反向恢复时间,特别适合高频操作(数十kHz至MHz级别),有助于减小磁性元件体积并提升功率密度。
  在太阳能光伏逆变器中,SBR1045CT可用于直流侧防反接保护或旁路功能,确保组件安全运行。在不间断电源(UPS)、服务器电源、电信整流模块等工业电源系统中,该器件凭借其稳定性和热性能表现优异。此外,在电动交通工具的辅助电源、电池充电管理系统(BMS)以及LED驱动电源中也有广泛应用。由于其封装便于安装散热片,也适用于需要紧凑布局但散热要求较高的嵌入式系统。总之,凡是在45V以下电压等级、需高效大电流整流的场合,SBR1045CT都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

SB1045CT
  SR1045CT
  MBR1045CT
  VS-10BQ045-M3
  STPS1045CT

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SBR1045CT参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压45 V
  • 正向连续电流10 A
  • 最大浪涌电流120 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降0.55 V at 5 A
  • 最大反向漏泄电流500 uA
  • 工作温度范围- 65 C to + 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量50