时间:2025/12/26 10:43:34
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SBR10200CTB是一款高性能的肖特基势垒二极管,采用双共阴极配置封装,适用于高效率电源转换应用。该器件由ON Semiconductor(安森美)生产,具备低正向压降和快速开关特性,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。SBR10200CTB广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及续流和箝位电路中。其高电流承载能力(10A)和反向耐压值(200V)使其在中等电压大电流场景下表现出色。该器件采用TO-277或类似的小型表面贴装功率封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产流程。
SBR10200CTB的设计优化了反向漏电流和热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠工作。其无铅结构符合RoHS环保标准,同时具备高抗浪涌能力,提升了系统的长期可靠性。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式,SBR10200CTB成为现代高效能电源设计中的理想选择之一,尤其适用于追求小型化与高功率密度的应用场合。
类型:肖特基势垒二极管
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):200V
平均整流电流(IO):10A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半波)
正向压降(VF):典型值0.84V(在10A, 25°C条件下)
最大反向漏电流(IR):2.0mA(在200V, 25°C);高温下可达100μA(125°C)
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
热阻(RθJC):约1.5°C/W
封装类型:TO-277(DPAK)
安装方式:表面贴装(SMD)
SBR10200CTB的核心优势在于其低正向导通压降与高电流处理能力的结合,这显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体电源转换效率。在10A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.84V,相较于传统快恢复二极管或普通整流桥具有明显优势。这种低VF特性减少了热量产生,有助于简化散热设计,降低系统成本,并提升设备的能效等级,符合能源之星或80 PLUS等节能认证要求。
该器件采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极快的反向恢复时间(trr接近于零),几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关环境中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰(EMI)。这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器尤为重要,可避免因二极管反向恢复引起的尖峰电压和交叉导通问题,提升系统稳定性和可靠性。
SBR10200CTB的双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极端子,非常适合用于全波整流或同步整流拓扑中的续流路径设计。其高浪涌电流承受能力(达150A)确保了在启动或负载突变时的安全运行。此外,宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其能够在严苛环境如工业控制、汽车电子或户外设备中稳定工作。
封装方面,TO-277(DPAK)是一种坚固且易于焊接的表面贴装形式,具备优良的热传导性能,可通过PCB铜箔进行有效散热。该封装还支持自动化贴片工艺,适用于大规模生产。产品符合RoHS指令,不含铅汞等有害物质,满足现代绿色电子产品的要求。综合来看,SBR10200CTB是一款兼顾高性能、高可靠性和环保要求的理想功率二极管解决方案。
SBR10200CTB广泛应用于各类需要高效能量转换的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS),特别是在AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块中作为输出整流元件使用。其低正向压降特性对于低压大电流输出(如12V/5V转3.3V或更低)尤为有利,能显著减少发热,提高效率。
在DC-DC转换器中,尤其是降压(Buck)和升压(Boost)拓扑结构中,SBR10200CTB常被用作续流二极管或箝位二极管,利用其快速响应能力和低损耗特点来优化动态响应和能效表现。它也适用于隔离式电源拓扑如正激、反激和推挽变换器的次级侧整流环节。
此外,该器件可用于逆变器系统中的保护电路,例如电机驱动或太阳能逆变器中的续流路径,防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件(如MOSFET或IGBT)。在电池充电管理系统、UPS不间断电源以及工业电源单元中,SBR10200CTB也能发挥其高可靠性和耐久性的优势。
由于其表面贴装封装和良好的热性能,SBR10200CTB特别适合空间受限但功率密度要求高的应用场景,如便携式医疗设备、网络通信设备、LED驱动电源以及车载电源系统等。
SB10200CT-E3\34\, MBR10200CTG\, VS-B10200CT-M3\/5