型号：SBP13009-S
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @ TC=25°C）：1.2A
　　峰值漏极电流（IDM）：4.8A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：7.0Ω
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=15V）：6.0Ω
　　阈值电压（Vth min）：2.0V
　　阈值电压（Vth max）：4.0V
　　输入电容（Ciss）：380pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：100pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：50W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F/TO-220FP

SBP13009-S采用先进的沟槽栅技术和场板结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在高电压应用中实现更低的导通损耗。其RDS(on)在VGS=15V时典型值仅为6.0Ω，即便在高温环境下也能维持较低的电阻值，确保长期运行中的能效稳定性。器件具有较高的跨导（Transconductance），使得栅极控制更加灵敏，开关响应速度快，适用于高频开关操作场景，如SMPS（开关模式电源）和PWM控制电路。同时，该MOSFET具备优秀的开关特性，包括较短的开启时间和关闭时间，减少了过渡过程中的能量损耗，提升了系统的整体效率。
　　该芯片还具备出色的热稳定性与可靠性，在高负载条件下不易发生热失控现象。其最大结温可达150°C，并配备有良好的热传导路径，配合散热片使用可有效延长使用寿命。SBP13009-S内置的体二极管具有较快的反向恢复速度（trr约45ns），可有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提高系统安全性。此外，器件通过优化的终端设计增强了对雪崩击穿的耐受能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不损坏，适用于存在雷击或电网突变风险的应用环境。
　　从制造工艺上看，SBP13009-S遵循RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代绿色电子产品的要求。其封装形式为TO-220F，带有绝缘片安装结构，便于在不同接地需求下灵活使用，尤其适合需要电气隔离的电源模块设计。该器件还经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环试验，确保在各种严苛工况下均能可靠工作。因此，SBP13009-S不仅适用于常规消费类电源产品，也可用于工业控制、照明系统及新能源设备中，表现出优异的综合性能。

SBP13009-S主要应用于各类中高电压开关电源系统中，常见于AC-DC和DC-DC转换器的设计。它广泛用于小功率至中等功率的反激式（Flyback）和正激式（Forward）电源拓扑结构中，作为主开关管使用，适用于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块以及智能家居设备供电单元。在LED照明领域，该器件可用于恒流驱动电源，特别是在高压输入（如市电直接整流后）的离线式LED驱动方案中，凭借其900V的耐压能力，能够有效应对电网波动并提升系统可靠性。
　　此外，SBP13009-S也常用于家电类产品中的电源控制部分，例如空调、洗衣机、微波炉等设备的辅助电源（Auxiliary Power Supply）或待机电源（Standby Power），因其具备良好的启动特性和轻载效率表现，有助于满足能源之星（Energy Star）等节能认证要求。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块及小型逆变器中，提供稳定的直流电压输出。
　　由于其较强的抗浪涌能力和较高的雪崩能量承受水平，SBP13009-S也被推荐用于存在雷击风险或电网不稳定地区的户外电子设备电源部分，如安防摄像头、智能电表、路灯控制系统等。同时，该器件还可作为电机驱动电路中的低端开关，用于小功率直流电机或步进电机的控制。总之，SBP13009-S凭借其高耐压、低导通损耗和良好的热管理特性，已成为多种电源应用场景中的优选功率开关器件。

SP13009G
　　FSC13009A
　　KSE13009Y