SBN1661G 时间：2025/8/13 17:29:11 阅读：25

SBN1661G是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。这款器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于如电源适配器、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。SBN1661G采用N沟道结构，封装形式通常为SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装，以适应高密度PCB设计的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4.5A
　　漏源极击穿电压（Vds）：20V
　　栅源极击穿电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

SBN1661G具备多项优异特性，适用于高要求的电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源极击穿电压达到20V，适合中等功率的电源应用。此外，SBN1661G内置的热保护功能增强了器件在高负载条件下的可靠性，防止因过热而损坏。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的4.5V至12V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。SOP-8封装设计使其适用于紧凑型PCB布局，同时具备良好的散热性能。该器件还具备快速开关特性，减少开关过程中的能量损耗，从而进一步提升效率。由于其高性能和紧凑设计，SBN1661G广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统和电源管理模块中。

应用

SBN1661G广泛应用于各种需要高效功率管理的电子设备中。例如，在电源适配器和DC-DC转换器中，该器件可用于实现高效率的电能转换。此外，它还常用于负载开关电路，用于控制电源的通断，从而延长电池寿命。在电机控制应用中，SBN1661G可以作为功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于保护电池免受过流和短路的影响。此外，SBN1661G还可用于LED驱动电路、电源管理IC（PMIC）外围电路以及各种便携式电子设备中的功率控制模块。