时间:2025/12/26 10:52:01
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SBM1040是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装SMA封装,适用于多种电源管理与整流应用。该器件以其低正向电压降和高开关速度著称,能够在高频条件下高效工作,从而减少能量损耗并提升系统整体效率。SBM1040的结构设计优化了热性能和电气性能,使其在紧凑型电源适配器、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中表现出色。其单芯双二极管配置允许共阴极连接方式,适合需要同步整流或多路输出整流的应用场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,适用于无铅焊接工艺。SBM1040广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子系统中,提供可靠的电流整流和反向阻断功能。由于其良好的封装散热特性及稳定的电气参数,在持续负载和瞬态工况下均能保持稳定运行。
类型:肖特基二极管阵列
配置:共阴极双二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大直流反向电压(VR):40V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.52V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 40V, 25°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装:SMA (DO-214AC)
安装类型:表面贴装
极性:共阴极
热阻结到环境(RθJA):100°C/W
结电容(CJ):典型值约70pF @ 4V
SBM1040的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,使得该器件具有显著低于传统PN结二极管的正向导通压降,通常在1A电流下仅为0.52V左右,这直接降低了导通期间的功率损耗,提升了电源系统的能效表现。这一特性对于电池供电设备或高密度电源设计尤为重要,有助于延长续航时间并减少散热需求。同时,由于肖特基二极管为多数载流子导电器件,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的开关响应速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,有效抑制了高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统的稳定性。
该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,并以共阴极方式连接,这种结构特别适用于全波整流拓扑或双通道同步整流应用,例如在多路输出的DC-DC变换器中实现高效的次级侧整流。每个二极管均可承受最高40V的反向电压和1A的平均整流电流,满足大多数低压电源系统的需求。SMA封装提供了良好的机械强度和热传导能力,配合PCB上的适当敷铜设计可进一步增强散热效果,确保器件在高温环境下仍能安全运行。此外,SBM1040具备较高的浪涌电流承受能力,可达30A(单次8.3ms半正弦波),能够应对电源启动或负载突变时的瞬态冲击,增强了系统的鲁棒性。
SBM1040的工作结温范围宽达-65°C至+125°C,表明其不仅适用于常规商业环境,也能在较为严苛的工业或车载环境中可靠工作。其符合国际环保标准,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造流程。器件还具备较低的反向漏电流,在常温下最大仅为0.5mA,有助于降低待机功耗。综合来看,SBM1040凭借其低VF、高速度、高可靠性及紧凑封装,成为众多中低电压整流应用的理想选择。
SBM1040广泛应用于各类需要高效整流和快速开关响应的电子系统中。常见用途包括AC-DC电源适配器中的次级整流电路,特别是在便携式设备如手机充电器、笔记本电脑电源等产品中,利用其低正向压降来提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中,尤其是同步整流拓扑结构里,SBM1040可用于替代传统二极管以降低导通损耗,提升整体电源效率。其共阴极双二极管配置也适用于全波整流电路,例如在小功率离线式开关电源或LED驱动电源中实现桥式整流后的平滑输出。
此外,SBM1040还可用于输入电源极性保护电路,防止因电源接反而损坏后续电路模块,这在电池供电设备或现场可插拔模块中尤为关键。在太阳能充电控制器、USB电源管理单元以及工业传感器供电系统中,该器件同样发挥着重要作用。由于其具备良好的高频特性,也被应用于射频检波、信号解调等模拟信号处理场合。汽车电子领域中,SBM1040可用于车载充电器、车身控制模块或辅助电源系统,在宽温环境下保持稳定性能。总体而言,凡涉及低压大电流整流、高频开关操作或空间受限的设计,SBM1040均是一个可靠且高效的解决方案。
MBR1040CT
SR1040
SS14-SMA
BAT54C