类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向电压降（VF）：典型值0.48V（在1A时）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值，25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）

SBL530的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结而非传统的PN结构实现整流功能，从而显著降低了正向导通压降。这一特性使得器件在导通状态下功耗更低，提升了整体系统效率，特别适用于电池供电设备或高密度电源设计。其典型的正向电压仅为0.48V，在1A电流下相比传统硅二极管可减少近一半的导通损耗。
　　该器件具备极快的开关速度，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计。这使其非常适合用于高频开关电源、同步整流辅助电路以及防止反接的保护电路中，有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　SBL530采用SMA小型表面贴装封装，外形尺寸紧凑，典型长度约4.3mm，宽度约2.4mm，高度约2.2mm，适合高密度PCB布局。该封装具有良好的热传导能力，配合适当的PCB铜箔设计可有效散热，确保长时间工作下的可靠性。同时，SMA封装广泛兼容现有贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，利于大规模自动化生产。
　　器件的双共阴极结构允许在同一封装内实现两个独立但共享阴极连接的肖特基二极管，常用于双路输出整流或OR-ing电路中，例如冗余电源选择或多通道DC-DC模块。这种集成方式不仅节省了PCB空间，还简化了布线复杂度。
　　此外，SBL530通过了多项国际质量认证，包括AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目，表明其具备一定的汽车电子应用潜力。其低漏电流特性在高温环境下仍保持良好表现，增强了在恶劣工况下的稳定性。总体而言，SBL530是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型肖特基二极管阵列，适用于多种现代电子系统的设计需求。

SBL530广泛应用于各类需要高效低压整流的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池充电电路，利用其低正向压降提升能效并延长续航时间。在DC-DC转换器特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中，它常被用作续流二极管或输出整流元件，以降低导通损耗并提高转换效率。
　　该器件也适用于AC-DC适配器、USB供电模块及电源分配单元中的反向极性保护，防止因电源接反而损坏后级电路。在多电源系统中，SBL530的双共阴极结构可用于构建“或”逻辑电源选择电路（Power OR-ing），实现主备电源无缝切换，常见于网络通信设备、工业控制板卡和嵌入式系统中。
　　此外，SBL530还可用于逆变器、LED驱动电源、电机控制器等功率电子装置中，作为快速响应的箝位或续流元件。其高频特性使其在开关频率较高的电源设计中优于传统整流二极管。
　　在汽车电子领域，尽管非专门车规型号，但由于其宽工作温度范围和较高可靠性，也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或辅助电源单元中。总之，SBL530凭借其小尺寸、高性能和成本效益，成为众多中低功率电源设计中的优选器件。

MBR130-7-F
　　SS130HE3_A/H
　　VS-SB130-M3-08
　　RB156V-40