时间：2025/12/26 9:56:38
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SBL2050CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的高性能肖特基势垒二极管，采用中心抽头全波整流结构，专为高效率电源转换应用设计。该器件封装在TO-277（DPAK）或类似表面贴装封装中，具备低正向电压降和高反向击穿电压特性，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及AC-DC整流电路等场景。SBL2050CT的额定平均整流电流可达20A，峰值重复反向电压为50V，能够有效减少导通损耗并提升系统整体能效。其内部结构包含两个阴极连接在一起的肖特基二极管，构成中心抽头配置，非常适合用于低压大电流输出的全波整流拓扑。由于采用了先进的硅半导体工艺与优化的热设计，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。此外，SBL2050CT符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色环保材料特性，适用于现代电子设备对环境友好型元器件的要求。该器件广泛应用于计算机主板、服务器电源、通信设备电源模块、工业控制电源及消费类电子产品中。
型号：SBL2050CT
封装类型：TO-277 (DPAK)
平均整流电流 IO：20A
峰值重复反向电压 VRRM：50V
直流反向电压 VR：50V
正向压降 VF（典型值）：0.54V @ 10A, 100°C
最大正向压降 VF（最大值）：0.62V @ 10A, 100°C
反向漏电流 IR：0.5mA @ 50V, 25°C
工作结温范围 TJ：-65°C 至 +150°C
存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
热阻 RθJA：约 2.5°C/W（依PCB布局而定）
二极管配置：双二极管共阴极（中心抽头全波整流）
SBL2050CT的核心优势在于其优异的电学性能与热管理能力。该器件采用肖特基势垒技术，使得其正向导通压降显著低于传统PN结二极管，典型值在0.54V左右（测试条件为10A、100°C），从而大幅降低功率损耗，提高电源转换效率。尤其在低压大电流输出的应用中，如5V或3.3V供电系统，这种低VF特性可以有效减少发热，延长系统寿命。同时，由于其高达20A的平均整流电流能力，SBL2050CT适合用于高负载场景下的整流任务。
该器件的反向击穿电压为50V，适用于大多数低压直流电源系统，能够在瞬态过压条件下提供一定的安全裕量。虽然肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但SBL2050CT通过优化的材料与结构设计将漏电流控制在合理范围内（典型值0.5mA @ 50V, 25°C），并在高温下仍保持可接受的漏电水平，确保了在宽温度范围内的稳定性。
封装方面，TO-277（DPAK）是一种表面贴装形式，具备良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔区域实现高效热传导。该封装无需通孔焊接，有利于自动化生产，节省空间并提升组装效率。此外，SBL2050CT的内部双二极管共阴极结构特别适用于中心抽头变压器的全波整流电路，简化了外围电路设计，减少了元件数量，提升了系统的集成度和可靠性。
在可靠性方面，该器件经过严格的工业级测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。其工作结温范围宽达-65°C至+150°C，适应多种严苛应用场景。综合来看，SBL2050CT凭借其高电流能力、低损耗、良好热性能和紧凑封装，成为现代高效电源设计中的理想选择。
SBL2050CT主要应用于需要高效率、大电流整流的电源系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在低压输出（如5V、3.3V、1.8V）的AC-DC适配器和DC-DC转换器中作为次级侧整流元件。其低正向压降特性有助于提升轻载到满载整个区间的转换效率，满足能源之星（Energy Star）和DoE Level VI等能效标准要求。在计算机和服务器电源中，SBL2050CT常用于VRM（电压调节模块）或POL（点负载）电源架构中的同步整流替代方案或辅助整流路径。
通信设备中的电源模块也广泛采用该器件，例如基站电源、光模块供电单元等，因其高可靠性和紧凑尺寸，适合高密度安装环境。此外，在工业控制系统、嵌入式设备、医疗电子设备以及消费类电子产品（如液晶电视、游戏机、路由器等）的电源部分也能见到其身影。
由于其支持中心抽头全波整流拓扑，SBL2050CT特别适用于带有中心抽头变压器的设计，这类拓扑常见于反激式（Flyback）或正激式（Forward）变换器中。相比使用两个独立二极管的方式，集成在一个封装内的双二极管结构不仅节省PCB空间，还提高了热均衡性和一致性，减少了装配复杂性。此外，该器件也可用于电池充电电路、逆变器输出级以及各类直流电源的防反接保护电路中，展现出良好的通用性和适应性。
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"SBT2050CT",
"MBR2050CT",
"SS2050",
"SDT2050C"
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