产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极（中心抽头）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　平均整流电流（IO）：16A（在TA=80°C时）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.55V @ 8A, TJ=25°C；典型值为0.49V
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 35V, TJ=25°C；高温下不超过1.0mA @ 35V, TJ=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277A（DPAK-3L）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：典型值为3.0°C/W（依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：典型值为1.0°C/W

SBL1635PT的核心优势在于其优异的电学性能和可靠的热管理能力。首先，作为一款肖特基势垒二极管，它利用金属-半导体结实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降。在8A电流下，其典型正向压降仅为0.49V，最大不超过0.55V，这意味着在大电流工作状态下功耗显著降低，从而减少了发热并提升了电源转换效率。这一特性对于便携式设备、通信电源及LED驱动等对能效敏感的应用尤为重要。
　　其次，该器件具备非常快的开关速度，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复时间（trr），避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题。这使得SBL1635PT特别适用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流Buck/Boost变换器、LLC谐振转换器以及隔离型反激电源的次级侧整流环节。
　　第三，SBL1635PT采用TO-277A封装，该封装具有三个引脚且底部带有散热片，可通过PCB上的大面积铜箔进行有效散热。其热阻RθJC仅为约1.0°C/W，表明从芯片结到外壳的热传导效率非常高，有助于将内部产生的热量迅速传递至外部环境，防止过热损坏。同时，该封装支持自动化贴片生产，适合大规模SMT组装流程，提高了生产效率和产品一致性。
　　此外，该器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、电信基础设施等严苛应用场景。其反向漏电流在高温条件下仍保持较低水平，在125°C时最大为1.0mA，确保了在高温工况下的可靠性。综合来看，SBL1635PT凭借低VF、无反向恢复、高电流密度和优良热性能，成为现代高效电源设计中的关键元件之一。

SBL1635PT广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电源系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流器，特别是在单端正激、反激或推挽拓扑结构的次级侧整流环节。由于其低正向压降和无反向恢复特性，可显著提升轻载至满载范围内的转换效率，减少散热器体积，适用于笔记本电脑适配器、路由器电源、机顶盒电源等消费类电子产品。
　　在DC-DC转换器领域，SBL1635PT常被用于非隔离式Buck或Boost电路的续流二极管位置，尤其是在多相供电系统中，多个此类器件并联使用以分担电流负载。其16A的平均整流电流能力使其能够应对瞬态高峰值电流需求，保障系统稳定性。此外，在服务器电源、基站电源等通信电源系统中，该器件也常用于低压大电流输出端的整流模块，帮助实现高功率密度设计。
　　另一个重要应用是在电池充电管理系统中，作为防倒灌二极管使用，防止电池反向放电影响前级电路。由于其低VF特性，能有效减少能量损耗，延长续航时间。此外，在LED照明驱动电源中，SBL1635PT可用于恒流源电路中的整流部分，提供稳定的直流输入。
　　在工业自动化设备、医疗仪器和测试测量设备中，SBL1635PT也被广泛采用，因其具备良好的温度稳定性和长期可靠性。同时，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源以及太阳能微逆系统中的辅助电源模块。总之，凡是要求高效率、小体积、高可靠性的低压大电流整流场合，SBL1635PT都是一种极具竞争力的选择。

SBT1635PT
　　MUR1635CT
　　MBR1635CTL