时间：2025/10/31 17:40:15
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SBL1035CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的肖特基势垒二极管，采用TO-220AC封装，属于高电流、低正向压降的功率二极管系列。该器件主要设计用于高频开关电源应用，例如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器以及逆变器等。SBL1035CT采用双二极管共阴极配置，即在一个封装内集成两个独立的肖特基二极管并共享一个阴极连接，这种结构非常适合中心抽头整流电路或同步整流拓扑中的续流与整流功能。由于其基于肖特基势垒技术，该器件具有较低的正向导通电压（VF），通常在低压大电流应用中可显著提高系统效率，减少热损耗。此外，SBL1035CT具备较高的反向重复峰值电压（VRRM），额定值为35V，最大平均整流电流可达10A，能够满足中等功率电源系统的性能需求。该器件的工作结温范围宽，一般为-65°C至+175°C，适合在恶劣环境条件下稳定运行。SBL1035CT还具备良好的热稳定性与抗浪涌能力，能承受一定的瞬态过电流冲击，增强了系统的可靠性。作为一款通孔安装型器件，它适用于传统PCB焊接工艺，并因其标准化封装而便于散热器安装以提升热管理效果。
型号：SBL1035CT
类型：肖特基二极管（双共阴极）
封装：TO-220AC
最大反向重复峰值电压 VRRM：35V
最大直流阻断电压 VR：35V
最大平均整流电流 IO：10A
峰值正向浪涌电流 IFSM：200A（单个半正弦波，8.3ms）
最大正向压降 VF：0.54V @ 1A, 0.61V @ 5A, 典型值下温度为25°C
最大反向漏电流 IR：0.5mA @ 25°C, 35V；高温时可达10mA @ 125°C
工作结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
热阻结到壳 RθJC：2.0°C/W
引脚数：3
安装方式：通孔
SBL1035CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这一结构利用金属-半导体接触形成势垒而非传统的PN结，从而实现更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.54V左右（在1A电流下），即使在5A大电流负载时也仅上升至约0.61V，远低于普通硅整流二极管的0.7V～1.2V水平。这意味着在相同输出功率下，SBL1035CT产生的导通损耗更小，有助于提升电源整体效率，尤其适用于要求高能效的DC-DC变换器和低压大电流输出场景。此外，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管几乎不存在反向恢复时间（trr），因此在高频开关操作中不会产生显著的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关管的应力，提高了系统稳定性。
该器件采用TO-220AC封装，具有优异的热传导性能，外壳可以直接安装在散热片上，有效降低结温，延长使用寿命。其双共阴极内部结构允许在全波整流或倍压电路中灵活使用，特别适合搭配中心抽头变压器进行次级侧整流。尽管肖特基二极管通常存在相对较高的反向漏电流问题，但SBL1035CT通过优化材料工艺控制，在高温环境下仍将反向漏电流限制在可接受范围内（如125°C时不超过10mA）。同时，其高达200A的非重复浪涌电流承受能力使其能够应对输入端突发短路或冷启动时的瞬态冲击，提升了系统鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于工业级和消费类电子设备。
SBL1035CT广泛应用于各类需要高效、低压整流的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在笔记本电脑适配器、LCD电视电源板和小型服务器电源中作为次级侧整流元件。由于其低VF特性，它在12V或5V输出的同步整流架构中常被用作辅助整流或续流二极管，帮助减少能量损失并改善热管理。在直流-直流转换器中，尤其是在降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中，SBL1035CT可用于提供快速换向路径，防止电感反电动势损坏主开关管。此外，它也常见于电池充电管理系统、UPS不间断电源、太阳能微逆变器以及电机驱动电路中的自由轮续流支路。在汽车电子领域，虽然其35V耐压限制了高压应用，但在车载信息娱乐系统电源模块或辅助电源单元中仍可发挥作用。工业控制设备、LED驱动电源和通信电源模块也是其重要应用场景。得益于其坚固的TO-220封装和良好的热性能，SBL1035CT能够在紧凑空间内实现可靠的大电流整流功能，是中等功率密度电源设计中的理想选择之一。
SBT1035CT
SBR10U35-13
MBR1035CT
STPS10H35D
