时间：2025/12/26 9:14:24
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SBG1640CT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能硅基氮化镓（SiC MOSFET）功率晶体管，专为高效率、高频开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽栅碳化硅技术，具备出色的导通电阻和开关性能，能够在高温、高压环境下稳定工作，适用于电动汽车、工业电机驱动、太阳能逆变器以及高端电源系统等对能效和可靠性要求极高的领域。SBG1640CT具有低栅极电荷和低输出电容，显著降低了开关损耗，从而提高整体系统效率。其封装形式为TO-247-3L，便于安装散热片并支持快速热传导，确保在大功率运行时的热稳定性。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受时间，增强了在异常工况下的鲁棒性。由于碳化硅材料本身具有宽禁带特性，SBG1640CT相较于传统硅基IGBT或MOSFET，在相同电压等级下可实现更高的开关频率和更小的无源元件尺寸，有助于缩小终端产品的体积与重量。该产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，适合用于汽车级功率转换系统中。
型号：SBG1640CT
制造商：STMicroelectronics
器件类型：SiC MOSFET
漏源电压(Vdss)：1200V
连续漏极电流(Id)@25°C：40A
峰值漏极电流(Idm)：120A
导通电阻(Rdson)@25°C：65mΩ
栅极阈值电压(Vgs_th)：4.5V
栅极电荷(Qg)@18V：190nC
输入电容(Ciss)：6000pF
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247-3L
SBG1640CT的核心优势在于其基于碳化硅材料的先进功率半导体工艺，这使得它在高压大功率应用场景中表现出远超传统硅器件的综合性能。首先，该器件拥有极低的导通电阻（Rdson），仅为65mΩ，在1200V电压等级下有效降低了导通损耗，提升了能效表现。其次，得益于碳化硅材料更高的临界电场强度，SBG1640CT可在高达1200V的漏源电压下安全运行，同时保持优异的开关速度，其栅极电荷（Qg）仅190nC，大幅减少驱动电路的能量消耗，并允许更高的PWM调制频率，进而减小磁性元件如电感和变压器的体积与成本。此外，该器件具备出色的热传导能力，最大工作结温可达+175°C，使其能在高温工业环境或密闭空间内长期稳定运行，无需过度依赖复杂的冷却系统。
另一个关键特性是其增强的可靠性和耐用性。SBG1640CT内置优化的体二极管结构，具备较快的反向恢复特性，减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。同时，器件经过严格测试，具备一定的短路耐受能力（通常在几微秒量级），结合适当的保护电路可有效防止因负载突变或故障引发的永久损坏。其沟槽栅设计不仅提高了通道密度，还改善了栅极控制精度，避免了平面型结构可能存在的电场集中问题，提升了长期使用的稳定性。此外，TO-247-3L封装提供了优良的电气隔离和机械强度，引脚布局兼容现有硅基MOSFET的设计，便于系统升级替换。总体而言，SBG1640CT凭借其高效、高速、高可靠的特点，成为现代绿色能源与电动出行领域中不可或缺的关键元器件之一。
SBG1640CT广泛应用于各类需要高效能量转换的大功率电力电子系统中。典型用途包括电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及充电桩主回路拓扑；在工业领域，常用于伺服驱动器、UPS不间断电源、工业电源模块及感应加热设备中的逆变桥臂；在可再生能源方面，适用于组串式光伏逆变器和储能系统的双向DC-AC转换器，利用其高频开关能力提升系统功率密度并降低滤波元件需求。此外，该器件也适用于高端服务器电源、电信整流器等对效率和散热有严苛要求的应用场景。由于其具备AEC-Q101认证，因此特别适合部署于汽车动力总成相关的高压系统中，满足功能安全与长寿命的要求。
SCT3040KL\nSCTW140N120\nIPW65R041CFD
