时间：2025/6/21 11:33:54
阅读：4
SBDD10200CT是一种高性能的双通道MOSFET驱动器，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片设计用于驱动N沟道或P沟道MOSFET以及IGBT，具有快速响应和高电流输出能力的特点。其内部集成有电平转换电路，能够支持宽范围的输入信号电压，同时具备良好的抗干扰性能。
供电电压：4.5V至20V
峰值拉电流：2A
峰值灌电流：2A
传播延迟：50ns
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：SOIC-8
SBDD10200CT具有低功耗、高效率的特点，其驱动器输出级采用图腾柱结构，可提供强大的源电流和汲电流能力。
它内置了欠压锁定（UVLO）功能，在供电电压低于特定阈值时会自动关闭输出，从而保护相关电路元件。
此外，该芯片还具备短路保护功能，能够在输出短路时限制电流，防止芯片过热损坏。
由于其快速的开关速度和精确的匹配延迟时间，SBDD10200CT非常适合高频应用场合。
该芯片主要应用于开关电源中的功率MOSFET驱动、电机控制中的桥式驱动、光伏逆变器中的功率器件驱动等场景。在工业自动化领域，它也常被用作伺服驱动器的一部分，为功率级提供高效的驱动信号。另外，家用电器如空调、洗衣机等产品中也有SBDD10200CT的身影。
SBDD10200CJ, TBDD10200CT
