SBD30100SCTB是一种基于碳化硅(SiC)材料的肖特基二极管。该器件具有低正向电压降、快速开关速度和高效率等特性,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及光伏逆变器等领域。
与传统的硅基肖特基二极管相比,SBD30100SCTB由于采用SiC材料,能够在更高的温度下工作,并且具备更低的反向漏电流,非常适合用于对效率和可靠性要求较高的场景。
额定电压:100V
额定电流:30A
正向压降(典型值):1.4V
反向恢复时间:无(零反向恢复时间)
最大工作结温:175°C
封装形式:TO-247-2
SBD30100SCTB使用碳化硅技术制造,具备以下主要特性:
1. 零反向恢复电荷,确保了非常快的开关速度,从而降低开关损耗。
2. 极低的正向电压降,提高了系统的整体效率。
3. 在高温环境下依然能够保持优异的性能,适合工业及汽车应用。
4. 抗电磁干扰能力强,噪声较低。
5. 耐热性能优越,能在高达175°C的结温下正常工作。
6. 封装牢固可靠,便于安装和散热管理。
SBD30100SCTB适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 高频开关电源中的整流和箝位功能。
2. DC-DC转换器中的同步整流和输出整流。
3. 光伏逆变器中的升压和隔离电路。
4. 电动汽车充电桩中的功率转换模块。
5. 工业电机驱动中的辅助电路设计。
6. 不间断电源(UPS)系统中的关键功率路径元件。
SBD20100C, SCT2010K