类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单个
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向电压（VF）：0.87V @ 10A, 150°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 60V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
　　封装/外壳：TO-220AB
　　安装类型：通孔

SBD10C60F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.87V左右，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平，尤其在大电流负载下节能效果更为明显。由于没有少数载流子的积累效应，该器件几乎不存在反向恢复时间（trr），这使得它在高频开关应用中表现出色，可有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性对于提升开关电源的转换效率至关重要，尤其是在同步整流拓扑或BUCK/BOOST变换器中作为续流或输出整流二极管时。此外，SBD10C60F具备高达175°C的最大工作结温，表明其在高温环境下仍能保持稳定性能，增强了系统的可靠性和耐久性。器件的TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还通过金属片直接连接芯片背面实现高效热传导，便于安装散热器以应对高功率密度应用场景。该封装形式也便于手工焊接和自动化装配，适用于多种生产流程。SBD10C60F的设计充分考虑了实际应用中的电气应力和热管理需求，具备较强的抗浪涌能力，其150A的峰值非重复浪涌电流能力可在电源启动或瞬态过载情况下提供必要的保护。同时，低反向漏电流特性确保在待机或轻载状态下能量损耗最小，有助于满足能源效率标准。整体而言，SBD10C60F在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是低压大电流整流应用的理想选择。
　　值得一提的是，尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流和较低的反向击穿电压限制，但SBD10C60F通过优化的工艺设计在60V耐压等级下实现了较低的漏电流（典型值0.5mA），在同类产品中表现优异。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装结构也使其适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保长期使用的稳定性。对于设计工程师而言，SBD10C60F提供了明确的数据手册支持，包含详细的热阻参数、动态特性曲线和安全工作区（SOA）图表，便于进行热设计和电路仿真。综合来看，SBD10C60F凭借其高性能指标和成熟的技术平台，在众多低压肖特基整流方案中占据重要地位。

SBD10C60F主要用于各类需要高效、低压整流的电源系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级整流，特别是在低输出电压（如3.3V、5V、12V）的大电流DC-DC转换器中，其低正向压降可显著提升转换效率。该器件也常用于同步整流替代方案中，当控制器无法支持同步整流MOSFET时，SBD10C60F可作为高性能替代元件降低导通损耗。在电池充电系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源中，SBD10C60F可用于防止电流倒灌和实现能量回馈。此外，该二极管适用于电机驱动电路中的续流（飞轮）二极管，保护开关器件免受感性负载产生的反电动势冲击。在汽车电子领域，可用于车载电源模块、LED照明驱动和DC-DC变换器中，满足严苛的温度和可靠性要求。工业控制系统中的PLC电源、传感器供电单元以及通信设备的板载电源也广泛采用此类高效率肖特基二极管。由于其通孔安装的TO-220封装便于散热管理，特别适合高功率密度设计。

MBR1060CTG
　　VS-10SQ060FN-M3
　　SS1060
　　SB1060