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SBAT54ALT1G 发布时间 时间:2025/5/7 10:07:09 查看 阅读:13

SBAT54ALT1G 是一款肖特基二极管阵列,具有低正向电压降和快速开关特性。该器件广泛应用于 ESD 保护、信号箝位以及高速电路中,能够有效防止静电放电对敏感电子设备的损害。
  肖特基二极管因其低功耗和高效率而备受青睐,在各种消费类电子产品、通信设备及工业应用中均有出色表现。

参数

最大反向工作电压:30V
  正向电流(IF):80mA
  正向电压(VF):0.35V(典型值,@ IF=10mA)
  反向漏电流(IR):1μA(最大值,@ VR=30V)
  结电容(Cj):7pF(典型值,@ VR=0V,f=1MHz)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

SBAT54ALT1G 的主要特性包括:
  1. 超低正向电压降,可减少功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场景。
  3. 高静电防护能力,能够有效保护敏感电子元件免受 ESD 损害。
  4. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  5. 宽广的工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 极低的反向漏电流,保证了良好的电气性能。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备中的 ESD 保护。
  2. 数据线接口保护,例如 USB 和 HDMI。
  3. 高速信号路径中的箝位和耦合。
  4. 工业自动化设备中的输入/输出保护。
  5. 各种通信模块中的瞬态电压抑制。
  6. 汽车电子系统的过压保护电路。

替代型号

SBAT54BALT1G, PESD1CANBL, SM7LTV1U2BTMA

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SBAT54ALT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)800mV @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 25V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)200mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 反向恢复时间(trr)5ns
  • 二极管类型肖特基
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)