SBAT54ALT1G 是一款肖特基二极管阵列,具有低正向电压降和快速开关特性。该器件广泛应用于 ESD 保护、信号箝位以及高速电路中,能够有效防止静电放电对敏感电子设备的损害。
肖特基二极管因其低功耗和高效率而备受青睐,在各种消费类电子产品、通信设备及工业应用中均有出色表现。
最大反向工作电压:30V
正向电流(IF):80mA
正向电压(VF):0.35V(典型值,@ IF=10mA)
反向漏电流(IR):1μA(最大值,@ VR=30V)
结电容(Cj):7pF(典型值,@ VR=0V,f=1MHz)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
SBAT54ALT1G 的主要特性包括:
1. 超低正向电压降,可减少功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用场景。
3. 高静电防护能力,能够有效保护敏感电子元件免受 ESD 损害。
4. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围,适应多种环境条件。
6. 极低的反向漏电流,保证了良好的电气性能。
该芯片适用于以下领域:
1. 手机和其他便携式电子设备中的 ESD 保护。
2. 数据线接口保护,例如 USB 和 HDMI。
3. 高速信号路径中的箝位和耦合。
4. 工业自动化设备中的输入/输出保护。
5. 各种通信模块中的瞬态电压抑制。
6. 汽车电子系统的过压保护电路。
SBAT54BALT1G, PESD1CANBL, SM7LTV1U2BTMA