SB860F 时间：2025/8/15 4:32:17 阅读：74

SB860F 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用，如 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制以及负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适合高频开关应用。SB860F 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：80A
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.6mΩ（最大值）
　　功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

SB860F 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其 80A 的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术，能够在高频开关条件下保持良好的性能。此外，SB860F 的封装设计（TO-252/DPAK）提供了良好的散热性能，使得在高电流工作条件下仍能维持稳定的温度表现。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也增强了其在各种严苛环境下的适应性。该器件还具有快速开关特性，降低了开关损耗，从而进一步提升了能效。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），使其兼容多种驱动电路设计，如常见的 PWM 控制器和栅极驱动 IC。
　　在可靠性方面，SB860F 具备较高的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。此外，该器件通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理应用。

应用

SB860F 广泛应用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和大电流能力的场合。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理系统以及电池供电设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，SB860F 常用于车载充电器、车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统（IVI）等。此外，它也可用于工业自动化设备中的电源模块、伺服驱动器和开关电源（SMPS）设计。由于其良好的热管理和高频响应特性，SB860F 特别适合用于紧凑型高功率密度设计中。