SB860-HE 时间：2025/8/13 19:09:14 阅读：27

SB860-HE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用。这款器件以其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力著称，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等场景。SB860-HE 采用了先进的沟槽式技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度：-55°C ~ 175°C
　　封装：PowerFLAT 5x6
　　

特性

SB860-HE 具备多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为低 Rds(on) 可以减少功率损耗并降低器件发热。其次，该 MOSFET 的高漏极电流能力（160A）使其能够处理高功率负载，非常适合用于高性能电源管理系统。
　　此外，SB860-HE 采用了 PowerFLAT 5x6 封装技术，具有较小的封装尺寸和优良的热管理性能。这种封装形式不仅节省空间，还能有效散热，从而延长器件的使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 的范围内工作，提供更高的灵活性。
　　SB860-HE 还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。这种特性对于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和电机控制电路尤为重要。此外，该 MOSFET 的耐高温性能使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。

应用

SB860-HE 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。其中，最常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及汽车电子系统。在汽车应用中，SB860-HE 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统，以提供高效的功率转换和稳定的性能。
　　此外，该 MOSFET 在工业自动化和电源管理系统中也有广泛应用。例如，在工业电机控制和电源分配系统中，SB860-HE 可用于高效能的功率开关，以确保系统稳定运行。其高可靠性和热管理能力也使其成为苛刻环境下的理想选择。
　　由于其优异的电气性能和封装设计，SB860-HE 还可用于需要高密度功率解决方案的便携式设备，如高性能笔记本电脑和服务器电源模块。