最大重复峰值反向电压(VRRM)：800V
　　最大正向平均电流(IF(AV))：8A
　　峰值正向浪涌电流(IFSM)：200A
　　正向压降(VF)：1.45V @ 8A
　　反向漏电流(IR)：10μA @ 800V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AC
　　安装类型：通孔

SB850-HE 的核心优势在于其高效的能量转换性能和优异的热稳定性。其采用的肖特基结构使得正向压降更低，通常在1.45V左右，从而减少了导通损耗，提高了系统整体效率。
　　该器件具备8A的正向平均电流能力，能够承受高达200A的瞬态浪涌电流，确保在突发负载条件下仍能稳定工作。
　　此外，SB850-HE 的反向漏电流极低（最大10μA），在800V高压下仍能保持良好的阻断能力，适用于高输入电压的应用场景。
　　其 TO-220AC 封装具有良好的散热性能，适合在高温环境下运行，工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，适用于严苛工业环境和车载系统。
　　器件的封装设计支持通孔安装，便于 PCB 布局和散热管理，提高了整体系统的可靠性和装配效率。

SB850-HE 主要应用于各类高效率电源系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC/DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、整流器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、通信电源模块、LED 照明驱动电源、汽车充电系统等。
　　由于其高耐压、大电流能力和低损耗特性，SB850-HE 非常适合用于需要在高压、高频条件下工作的电源拓扑结构，如反激式、正激式、半桥和全桥转换器。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动工具电源模块，满足高可靠性和长寿命的要求。
　　同时，SB850-HE 还适用于需要高效率、小型化设计的消费类电子产品电源适配器和充电器中。

SB860-E3/54, SB840-HE, MBR860T, MBR860G, 1N5828