SB840DC是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于电源管理和开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流处理能力和高开关速度,使其非常适合用于高效能电源转换器和电机控制电路。SB840DC采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在各种工业和消费电子环境中使用。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):1.0Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:TO-252(DPAK)
SB840DC的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外,该器件具有高电流处理能力,能够在高负载条件下稳定运行。
SB840DC的高开关速度使其非常适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电源适配器和电机驱动器。其TO-252封装设计不仅提供了良好的热管理能力,还能在紧凑的PCB布局中提供足够的散热性能。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保护电路。此外,SB840DC的栅极驱动要求较低,通常可以在较低的栅极电压下实现完全导通,从而降低驱动电路的复杂性和成本。
SB840DC常用于各种电源管理和开关电路中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。由于其高效率和可靠性,它也适用于工业自动化设备、消费电子产品和汽车电子系统中的功率控制应用。此外,该器件还可用于逆变器、UPS系统和LED驱动器等需要高效能功率开关的场合。
IRF840、FQA8N50C、STP8NM50N、2SK2545