类型：肖特基二极管
　　最大正向电流（IF）：5A
　　最大反向电压（VR）：100V
　　正向压降（VF）：约0.45V @ 2.5A, 100°C
　　反向漏电流（IR）：≤ 100μA @ 100V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SB5100-H 采用肖特基势垒技术，具有较低的正向压降（VF），从而减少了导通损耗，提高了整流效率。其最大正向电流为 5A，能够承受较高的负载电流，适用于中高功率的整流应用。该器件的反向电压为 100V，适用于中压电源转换系统。
　　在高温条件下（100°C 时），SB5100-H 的正向压降约为 0.45V，远低于普通硅整流二极管（通常为 1V 左右），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件的反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，使其特别适用于高频开关电路。
　　SB5100-H 采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛用于现代电源管理模块和嵌入式系统中。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在较为恶劣的环境条件下稳定工作。
　　由于其快速开关特性和低功耗特性，SB5100-H 在电源转换系统中可有效减少发热，提高整体系统的可靠性。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅工艺制造。

SB5100-H 主要用于以下类型的电路和系统中：电源整流电路、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器、不间断电源（UPS）、LED 驱动电路、工业控制设备以及各类高效率电源管理系统。其低正向压降和高电流容量使其在需要高效率和低发热的应用中尤为适用。

SB5100-H 可以被以下型号替代：SB5100-F、SB5100-L、MBR5H100、MBRS5H100、SR5100、SR5100A、SR5100RL 等。这些替代型号在电气特性、封装形式和应用场景上与 SB5100-H 相似，但具体选型应根据电路设计要求和供货情况综合考虑。