SB4060PT 时间：2025/8/15 2:48:04 阅读：20

SB4060PT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能。SB4060PT 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及各种工业和消费类电子设备中。该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值 0.018Ω（在 Vgs = 10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：60V
　　最大功耗（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SB4060PT 的核心优势在于其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。该 MOSFET 在高频率下具有良好的开关性能，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。其 TO-220AB 封装提供了良好的散热能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　此外，SB4060PT 具有较高的电流承受能力和热稳定性，能够在恶劣的工作环境下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 到 15V 之间），兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发过载条件下保持稳定。
　　SB4060PT 还具有快速的开关速度，有助于减小开关损耗并提高系统效率。同时，其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。

应用

SB4060PT 广泛应用于各类功率电子系统中，特别是在需要高效、高频开关的场合。例如，它常用于同步整流型 DC-DC 转换器、降压（Buck）或升压（Boost）转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关电路、工业自动化设备、UPS（不间断电源）以及各类电源适配器中。
　　此外，该 MOSFET 还适用于高电流的负载开关应用，如电源管理模块中的开关控制。在电动车、工业电源、太阳能逆变器等高功率系统中，SB4060PT 可作为主开关器件使用，提供高效的能量转换。