类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极对
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：3.0A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：60A
　　最大正向电压（VF）@ 3.0A：950mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 25°C：200μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约70°C/W
　　安装方式：表面贴装

SB30-03TP的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降。在典型工作条件下，当通过3A电流时，其正向压降仅为约850mV至950mV，远低于标准硅整流二极管的1.2V以上。这一特性直接减少了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于低压大电流输出的DC-DC变换器和同步整流替代方案。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，通常小于10ns。这使得SB30-03TP在高频开关环境中表现优异，有效抑制了开关噪声和电磁干扰（EMI），有助于提升系统整体稳定性。
　　该器件的共阴极对结构设计使其非常适合全波整流或双路同步整流应用，例如在双通道电源模块或H桥驱动电路中的续流保护。SMA封装提供了良好的热传导路径，配合PCB上的散热焊盘，可在有限空间内实现高效的热量散发。尽管如此，仍需注意在高环境温度下适当降额使用以确保长期可靠性。SB30-03TP具备较强的浪涌电流承受能力，高达60A的峰值非重复浪涌电流使其能够应对启动瞬间或负载突变引起的瞬态过流情况，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，但仍建议在生产过程中采取适当的防静电措施。其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的工业与汽车电子系统。

SB30-03TP广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低电压输出（如3.3V、5V、12V）的AC-DC适配器和DC-DC转换器中，因其低VF特性可显著提升能效。它也常用于电池充电管理电路中作为防反接和能量回馈路径的控制元件。在便携式设备如笔记本电脑、移动电源和USB供电设备中，SB30-03TP可用于电源路径管理和负载切换功能。此外，该器件适用于逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源等工业电源产品中，承担整流与续流任务。在电机驱动电路中，它可以作为感性负载的续流二极管，防止因关断瞬间产生的高压反电动势损坏主控开关器件。由于其高频响应能力强，也被用于射频检测电路和信号解调场合。在太阳能光伏系统中，可用于组串旁路或防逆流保护。总之，凡是要求低功耗、高效率、小型化封装的整流或隔离应用，SB30-03TP都是一个理想选择。

MBR3030TNS, MBR3030, SB3030, SS33