型号：SB20L15
　　封装类型：SMB（DO-214AA）
　　二极管配置：共阴极双二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
　　最大直流阻断电压（VR）：150V
　　平均整流电流（IO）：2.0A（每芯片）
　　正向压降（VF）：典型值0.975V @ IF=2.0A, TJ=110°C
　　最大正向压降（VF(max)）：1.1V @ IF=2.0A, TJ=110°C
　　反向漏电流（IR）：小于1.0mA @ VR=150V, TJ=125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜30ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）

SB20L15具备优异的电气性能和热稳定性，其最显著的特性之一是低正向导通压降，在额定电流2.0A下，典型VF仅为0.975V，最高不超过1.1V，这一特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。尤其在低电压输出的开关电源或DC-DC转换器中，低VF意味着更少的能量以热量形式耗散，从而提升系统效率并减少散热设计负担。
　　该器件采用肖特基势垒结构，不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr＜30ns），远优于传统PN结二极管。这一特性使其非常适合高频开关应用，如PWM控制的电源拓扑中，能够有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性和可靠性。
　　SB20L15的共阴极双二极管配置允许在全波整流或双路续流电路中简化布局，节省PCB空间并提高集成度。其SMB封装具有良好的热传导性能，配合适当的铜箔设计可实现高效散热，确保在高负载条件下长期稳定运行。此外，器件在高温环境下仍能保持较低的漏电流，在125°C结温下反向漏电流不超过1.0mA，避免了因漏电增大导致的功耗上升问题。
　　该二极管还具备优良的抗浪涌能力，可承受一定的瞬态过电流冲击，增强了在实际应用中的鲁棒性。其材料和工艺符合现代环保标准，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线，便于大规模制造。综合来看，SB20L15在效率、速度、可靠性和封装密度方面实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择。

SB20L15广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。常见用途包括AC-DC和DC-DC开关电源中的次级侧整流，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑中作为输出整流二极管使用，利用其低VF和快恢复特性提升转换效率。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源中，SB20L15用于实现高能效的电压转换，延长电池续航或降低能耗。
　　此外，它也常用于逆变器、UPS不间断电源和电动工具电源模块中的续流或箝位保护，防止感性负载断开时产生的反向电动势损坏主控开关器件。
　　在电池管理系统（BMS）或多电源切换电路中，SB20L15可用于防反接和电源冗余设计，确保电流单向流动，避免反向供电造成设备损坏。
　　工业控制设备、通信电源、智能电表等对可靠性和寿命要求较高的场合也普遍采用该器件。得益于其紧凑的表面贴装封装，SB20L15特别适合空间受限的应用场景，同时支持自动化生产，提升产品一致性与良率。

SR20150
　　SB20150
　　MBR2U150
　　VS2L150
　　SM20L15