SB1100-HE 是一款由 IXYS 公司生产的高效率、双通道、高速功率 MOSFET 驱动器集成电路,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器等需要高频率、高功率输出的场合。该芯片设计用于驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有独立的高边和低边驱动能力,适合半桥和全桥拓扑结构。
封装类型:SOIC-16
工作电压范围:10V ~ 20V
输出驱动电流(峰值):±1.4A(典型值)
传播延迟时间:15ns(典型值)
上升/下降时间:5ns/5ns(典型值)
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
输入逻辑电平兼容性:3.3V、5V 和 15V
高边浮动电压:最高可达+600V(典型值)
SB1100-HE 具有出色的驱动能力和高效的开关性能,能够适应高频开关应用的需求。该芯片采用了高速双通道架构,支持独立的高边和低边驱动,适用于各种复杂的拓扑结构,如半桥、全桥和同步整流电路。其低传播延迟和快速的上升/下降时间显著降低了开关损耗,提高了整体系统的效率。
此外,SB1100-HE 集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止 MOSFET 发生误导通或损坏。该芯片还具有较高的抗干扰能力,能够在高噪声环境下稳定工作。其浮动高边设计支持高达 600V 的电压,使其适用于高压功率转换应用。
SB1100-HE 主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动系统、UPS 逆变器、太阳能逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高速驱动能力和高耐压特性使其成为功率转换和电机控制领域的理想选择。例如,在同步整流式开关电源中,SB1100-HE 可以有效提高电源效率,减少能量损耗;在电机驱动应用中,它能够提供快速响应和稳定的输出,确保电机运行的平稳性和效率。
IXDN614, TC4420, IR2110, LM5112