SB11-04HP-TR 时间：2025/9/20 21:39:20 阅读：6

SB11-04HP-TR是一款由Semitrans公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽型技术设计，主要用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件封装在小型化的表面贴装PowerSSO-36封装中，具有低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能，适用于空间受限但对性能要求较高的应用场景。SB11-04HP-TR的命名中，'SB11'代表产品系列，'04'表示其典型导通电阻值约为4mΩ，'HP'代表高性能版本，而'TR'则表明其为卷带包装，适合自动化贴片生产。这款MOSFET特别适用于现代DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及电机驱动等高密度电源系统中。得益于其优化的封装设计和芯片工艺，SB11-04HP-TR能够在保持小尺寸的同时实现优异的散热性能和电气性能，满足工业、通信和消费类电子产品的严苛要求。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于对环境要求较高的项目。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：500A
　　导通电阻（Rds(on)）max @ Vgs=10V：4.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）max @ Vgs=4.5V：6.0mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：10000pF
　　输出电容（Coss）：2700pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerSSO-36

特性

SB11-04HP-TR采用先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直的沟道来增加单位面积内的沟道数量，从而显著降低导通电阻并提升电流密度。其Rds(on)在Vgs=10V时最大仅为4.5mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。器件的封装采用PowerSSO-36，这是一种专为高功率密度应用设计的表面贴装封装，具有优异的热传导性能，能够有效将芯片产生的热量传递到PCB上，避免局部过热导致的可靠性下降。该封装还优化了内部引线布局，降低了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能。
　　该MOSFET具备高达180A的连续漏极电流能力，适用于大电流输出的同步降压转换器或多相供电系统。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为120nC，这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于简化驱动设计并降低驱动损耗。同时，输入电容和输出电容的匹配良好，使得在高频开关应用中能够实现快速响应和稳定的工作状态。器件的阈值电压范围适中（2.0V~3.0V），既能保证足够的噪声容限，又能兼容常见的逻辑电平驱动信号，如5V或3.3V PWM控制器。
　　SB11-04HP-TR还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。其工作结温可达+175°C，远高于一般商用器件的150°C上限，适合在高温环境下长期工作。此外，器件内部结构经过优化，减少了米勒效应的影响，从而抑制了在高速开关过程中可能出现的误触发现象。总体而言，SB11-04HP-TR凭借其低Rds(on)、高电流能力和优良的封装热性能，成为高性能电源设计中的理想选择。

应用

SB11-04HP-TR广泛应用于需要高效能和高功率密度的电源系统中。其主要应用场景包括服务器和通信设备中的多相同步降压转换器，用于为核心处理器或ASIC提供稳定的低压大电流电源。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件在轻载和重载条件下均能保持高效率，有助于降低整机功耗和散热成本。此外，它也常用于电池供电系统中的充放电管理模块，例如电动工具、无人机和便携式医疗设备，其中对能量利用率和空间占用有严格要求。
　　在DC-DC模块电源中，SB11-04HP-TR可作为主开关或同步整流开关使用，尤其适合工作频率在数百kHz至MHz级别的高频变换器，因其低栅极电荷和快速开关特性可显著减少开关损耗。工业自动化设备中的电机驱动电路也常采用此类高性能MOSFET，以实现精确的速度控制和高效的能量回馈。另外，该器件还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车车载充电机中的辅助电源部分，承担功率开关任务。
　　由于其符合RoHS标准且具备良好的可靠性和温度适应性，SB11-04HP-TR同样适用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元等对安全性和稳定性要求较高的场合。总之，凡是需要低损耗、高效率、高集成度的功率开关解决方案，SB11-04HP-TR都是一个极具竞争力的选择。