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SB007T03Q-TL 发布时间 时间:2025/9/21 2:31:49 查看 阅读:12

SB007T03Q-TL是一款由SouthBridge(南方桥)半导体公司推出的高效率、低功耗同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,内置功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内稳定工作,提供持续的输出电流支持。SB007T03Q-TL以其小封装、高集成度和出色的热稳定性著称,适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。芯片集成了多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输出短路保护,有效提升了系统运行的可靠性与安全性。此外,该器件支持可调输出模式,通过外部电阻分压网络可灵活设定输出电压,满足不同负载需求。其工作频率高达1.2MHz,允许使用小型外围电感和陶瓷电容,进一步缩小整体解决方案尺寸。SB007T03Q-TL采用DFN或SOT-23等小型封装形式,便于在高密度PCB布局中使用。

参数

型号:SB007T03Q-TL
  类型:同步整流降压DC-DC转换器
  输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
  输出电压范围:0.8V ~ 输入电压(可调)
  最大输出电流:3A(连续)
  开关频率:1.2MHz(典型值)
  静态电流:35μA(关断模式下<1μA)
  效率:最高可达95%
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN-6(2mm x 2mm)
  保护功能:过流保护、过温保护、短路保护
  反馈参考电压:0.6V ±2%
  控制模式:电流模式PWM控制

特性

SB007T03Q-TL具备优异的动态响应能力和高转换效率,这得益于其内部采用的恒定频率电流模式控制架构。该控制方式不仅提高了系统对负载瞬变的响应速度,还增强了环路稳定性,减少了对外部补偿元件的依赖。芯片内置上管和下管的功率MOSFET,导通电阻低,显著降低了导通损耗,从而在重载和轻载条件下均能保持高效能表现。
  其1.2MHz的高开关频率使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件,有利于实现紧凑型电源设计,特别适合智能手机、平板电脑、Wi-Fi模块、蓝牙模块等便携式应用。同时,该芯片支持轻载时自动进入节能模式(PFM模式),在维持输出电压稳定的同时大幅降低静态功耗,延长电池使用寿命。
  SB007T03Q-TL具有良好的热管理能力,DFN封装具备优良的散热性能,结合内部过温保护机制,可在高温环境下自动降低输出功率以防止损坏。芯片还具备软启动功能,限制启动过程中的浪涌电流,避免输入电源波动影响其他电路单元。此外,使能引脚(EN)允许外部逻辑信号控制芯片启停,便于实现电源时序管理和节能控制。
  该器件对PCB布局友好,推荐使用四层板设计以优化散热和EMI性能。其反馈电压基准为0.6V,精度达±2%,确保输出电压的高度准确性。由于采用了抗噪声能力强的设计,SB007T03Q-TL在复杂电磁环境中仍能稳定运行,适用于工业传感器、IoT终端等对可靠性要求较高的场合。

应用

SB007T03Q-TL适用于多种需要高效、小体积电源解决方案的电子系统。典型应用包括移动智能终端中的核心处理器供电、内存模块电源管理、无线通信模块(如LTE、LoRa、ZigBee)的稳压电源设计。此外,在便携式医疗设备、手持测试仪器、智能家居控制器中也广泛使用该芯片作为主电源或辅助电源。
  在消费类电子产品中,如TWS耳机充电仓、智能手表、运动相机等,SB007T03Q-TL因其高集成度和低静态电流成为理想的电源选择。其高效率特性有助于提升电池续航能力,而小型封装则适应了这些产品对空间的高度敏感性。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC模块、传感器节点、远程IO单元的局部供电方案,特别是在分布式系统中需要多个独立电源轨的场景下表现出色。同时,它也可用于FPGA、ASIC或MCU的核电压或I/O电压供电,支持多电源轨系统的灵活配置。
  由于具备良好的EMI抑制能力和稳定性,SB007T03Q-TL还可应用于汽车电子中的非安全关键子系统,如车载信息娱乐系统的辅助电源、USB充电接口模块等。其宽温工作范围和多重保护机制确保在严苛环境下长期可靠运行。

替代型号

AP63203SG-7
  MT3608BN
  RT6261AFGQW
  SGM6600YTS8G

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