您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SAYFH2G53BC0F0AR05

SAYFH2G53BC0F0AR05 发布时间 时间:2025/4/29 14:24:57 查看 阅读:13

SAYFH2G53BC0F0AR05是一款由知名厂商生产的高速MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具有快速开关速度和良好的热性能。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足高效率和高性能应用需求,特别适合于要求严格的工作环境。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:53A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):180nC
  开关时间:开通延迟时间 37ns,关断传播时间 29ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SAYFH2G53BC0F0AR05具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力,支持高达650V的漏源电压,能够适应各种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为4.5mΩ,从而降低功率损耗并提升整体效率。
  3. 快速开关速度,有效减少开关损耗,并允许更高的工作频率。
  4. 出色的热稳定性及耐用性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

这款MOSFET适用于多种工业领域和技术产品:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC/DC适配器和充电器。
  2. 电动工具与家用电器中的电机驱动控制。
  3. 新能源相关设备,如太阳能逆变器和储能系统。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 电动车和混合动力汽车的动力管理系统。

替代型号

SAYFH2G53BC0F0AR07, IRFP2907ZPBF, FDP150N06L

SAYFH2G53BC0F0AR05推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价