时间：2025/5/13 8:46:42
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SAK-TC237LP-32F200N 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，采用先进的封装工艺以提升散热性能和电气特性。该型号属于 SAK 公司推出的 GaN HEMT 系列产品，适用于高频开关应用场合，如开关电源、DC-DC 转换器、无线充电设备以及新能源汽车中的功率转换系统。
由于其低导通电阻和快速开关速度，这款晶体管能够显著减少能量损耗并提高整体系统效率。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：200A
导通电阻：32mΩ
栅极电荷：150nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TC237LP
该芯片具备以下关键特性：
1. 高击穿电压：支持高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅 32mΩ 的导通电阻大幅降低了传导损耗。
3. 快速开关能力：具有极短的反向恢复时间和低栅极电荷，可实现高频操作。
4. 高热性能：优化的 TC237LP 封装增强了散热效果，确保在高功率运行时保持稳定。
5. 增强可靠性：通过严格的测试验证，适合工业级及汽车级应用需求。
6. 减少外围元件：得益于其高性能，设计中可以减少滤波器和其他辅助元件的数量，从而降低成本和复杂性。
SAK-TC237LP-32F200N 广泛应用于需要高效能和高频率的电力电子领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 数据中心供电单元
3. 电动汽车车载充电器和逆变器
4. 太阳能微逆变器
5. 工业电机驱动器
6. 无线充电发射端和接收端模块
7. 高频 DC-DC 转换器
其卓越的性能使其成为追求更高效率和更小尺寸解决方案的理想选择。
SAK-TC237LP-32F150N
SAK-TC237LP-45F200N
SAK-TC237LP-50F150N
