SAK-TC234L-32F200N是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的沟槽式工艺制造。该器件适用于高频开关应用和高效能电源转换场景,具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-252(DPAK),非常适合空间受限的设计环境。
此型号中的'32F200N'表示器件的耐压等级为200V,连续漏极电流为32A(在特定条件下)。此外,这款MOSFET支持广泛的工业和消费类电子设备,例如适配器、充电器、LED驱动器以及DC-DC转换器等。
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:32A
导通电阻(典型值):8.5mΩ
栅极电荷:17nC
输入电容:960pF
反向传输电容:150pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
SAK-TC234L-32F200N的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,减少开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置ESD保护电路,提高产品可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装设计,便于PCB布局和散热管理。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. LED照明驱动电路中的负载控制开关。
4. 工业电机驱动中的功率级组件。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快充头等。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
SAK-TC234L-25F200N
IRFZ44N
FDP5800