时间：2025/5/8 16:06:51
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SAHRT1G73BA0B0A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计，主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及工业控制等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，支持高频开关操作，并具备出色的热性能，适用于各种严苛的工作环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：50A
导通电阻(RDS(on))：1.4mΩ（典型值，在VGS=10V时）
总栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：4380pF
输出电容(Coss)：95pF
反向传输电容(Crss)：48pF
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
SAHRT1G73BA0B0A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，可满足高频应用需求，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 出色的热性能，能够在高温环境下长时间工作。
5. 强大的雪崩耐量和鲁棒性，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
SAHRT1G73BA0B0A 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 太阳能微逆变器及储能系统。
4. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电力电子模块。
5. UPS 不间断电源和其他高效能电源管理设备。
6. 各种需要大电流、高频工作的应用场景。
SAHRT1G73BA0B0T, SAHRT1G73BA0B0S
