时间：2025/4/29 13:53:08
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SAFFB881MAN0F0A 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为 LFPAK56D（Power-SO8），具备良好的散热特性和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：247A
导通电阻（典型值）：0.45mΩ
栅极电荷：20nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK56D
SAFFB881MAN0F0A 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，使其能够支持大功率应用。
3. 快速开关性能，适合高频开关电源和其他高频应用。
4. 小型化封装设计，节省电路板空间。
5. 优秀的热性能，确保在高温环境下可靠运行。
6. 良好的抗静电能力（ESD 保护），提高了器件的鲁棒性。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
SAFFB881MAN0F0A 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动，如电动车窗、电动座椅等汽车应用。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各类消费电子产品中的负载开关和电池管理。
7. 通信设备中的高效功率转换模块。
IPA60R049P7S6,
IRL540N,
FDP5570,
AUIRF8810,
STL32NE06
