时间：2025/7/10 21:26:21
阅读：11
SAFFB1G84FC0F0A 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其主要功能是通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动，适用于各种高效能开关应用，例如 DC-DC 转换器、逆变器以及负载开关等。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：80V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：16A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ (在 VGS=10V 时)
总功耗(PD)：170W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SAFFB1G84FC0F0A 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 热稳定性强，能够承受较宽的工作温度范围。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 高效的散热性能，得益于 TO-247 封装，便于集成到复杂电路中。
这款功率 MOSFET 可用于多种工业和消费类电子设备，具体包括：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路，用于调节电机速度与方向。
3. 太阳能逆变器系统中的关键功率转换组件。
4. 汽车电子设备，如电动助力转向系统(EPAS)和制动控制模块。
5. 各种 DC-DC 转换器和负载开关应用场景。
6. 工业自动化设备中的电磁阀驱动和信号隔离。
SAFFB1G84FC0F0B, IRF840, STP16NF06
