时间：2025/4/30 11:50:01
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SAFFB1G84FB0F0A 是一款由三星（Samsung）推出的高密度 NAND Flash 存储芯片，主要应用于消费类电子设备、嵌入式系统以及工业级存储解决方案中。该芯片采用先进的制程工艺，具备高性能和低功耗的特点，支持高速数据传输接口，并提供大容量的非易失性存储功能。
此型号中的各个字母和数字编码表示其具体规格和配置，例如容量、接口类型、封装形式等。通过使用该芯片，可以实现对大量数据的安全可靠存储。
容量：512Gb (64GB)
接口：Toggle Mode 2.0
电压：Core Voltage: 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage: 3.3V/1.8V ± 5%
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA (FBGA)
引脚数：84
数据传输速率：最高可达 400MT/s
SAFFB1G84FB0F0A 具备以下显著特性：
1. 高存储密度：单芯片即可提供高达 64GB 的存储空间，适合需要大容量存储的应用场景。
2. 快速读写性能：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，能够实现高速的数据传输，满足实时处理需求。
3. 稳定性和可靠性：经过严格的测试流程，确保在各种环境条件下均能保持稳定运行。
4. 节能设计：优化的电路结构有效降低功耗，在延长设备续航时间的同时减少热量产生。
5. 广泛兼容性：可与多种主控芯片无缝配合，简化系统设计并提高集成效率。
这款 NAND Flash 芯片适用于多种领域，包括但不限于：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
2. SSD 固态硬盘的核心组件之一，用于个人电脑及服务器的数据存储。
3. 数码相机、摄像机及其他便携式多媒体播放器的大容量存储介质。
4. 工业控制设备、医疗仪器以及汽车电子系统的嵌入式存储方案。
5. 物联网终端节点的本地数据记录与缓存功能。
K9WBG0U1M, MX30UF064AB
