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SAFFB1G84FB0F0A 发布时间 时间:2025/4/30 11:50:01 查看 阅读:24

SAFFB1G84FB0F0A 是一款由三星(Samsung)推出的高密度 NAND Flash 存储芯片,主要应用于消费类电子设备、嵌入式系统以及工业级存储解决方案中。该芯片采用先进的制程工艺,具备高性能和低功耗的特点,支持高速数据传输接口,并提供大容量的非易失性存储功能。
  此型号中的各个字母和数字编码表示其具体规格和配置,例如容量、接口类型、封装形式等。通过使用该芯片,可以实现对大量数据的安全可靠存储。

参数

容量:512Gb (64GB)
  接口:Toggle Mode 2.0
  电压:Core Voltage: 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage: 3.3V/1.8V ± 5%
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA (FBGA)
  引脚数:84
  数据传输速率:最高可达 400MT/s

特性

SAFFB1G84FB0F0A 具备以下显著特性:
  1. 高存储密度:单芯片即可提供高达 64GB 的存储空间,适合需要大容量存储的应用场景。
  2. 快速读写性能:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够实现高速的数据传输,满足实时处理需求。
  3. 稳定性和可靠性:经过严格的测试流程,确保在各种环境条件下均能保持稳定运行。
  4. 节能设计:优化的电路结构有效降低功耗,在延长设备续航时间的同时减少热量产生。
  5. 广泛兼容性:可与多种主控芯片无缝配合,简化系统设计并提高集成效率。

应用

这款 NAND Flash 芯片适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
  2. SSD 固态硬盘的核心组件之一,用于个人电脑及服务器的数据存储。
  3. 数码相机、摄像机及其他便携式多媒体播放器的大容量存储介质。
  4. 工业控制设备、医疗仪器以及汽车电子系统的嵌入式存储方案。
  5. 物联网终端节点的本地数据记录与缓存功能。

替代型号

K9WBG0U1M, MX30UF064AB

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