类型：增强型氮化镓场效应晶体管
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻（RDS(on)）@25°C：40 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5 V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　输出电容（Coss）：290 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-13

SAF1204D的核心优势在于其基于GaN-on-Si技术的卓越开关性能。与传统硅基MOSFET相比，该器件具有更低的开关损耗和更高的开关频率能力，这使得电源系统能够在更高频率下运行，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高的功率密度。其40mΩ的低导通电阻有效降低了导通损耗，尤其在中高负载条件下表现出优异的热性能。
　　该器件的增强型设计（E-mode）确保在栅极电压为零时处于关断状态，提升了系统在启动和故障情况下的安全性，避免了因误触发导致的短路风险。这种常关特性简化了驱动电路的设计，无需负压关断，兼容标准硅基MOSFET的驱动IC，降低了系统开发难度和成本。
　　SAF1204D的封装采用PG-HSOF-8-13，具有低寄生电感的引脚布局，优化了高频开关过程中的电压尖峰和振铃现象，提高了系统的EMI性能和可靠性。其集成的片上驱动回路设计减少了外部布线带来的干扰，增强了器件在高速开关应用中的稳定性。
　　此外，该器件具备极低的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0 C），几乎消除了体二极管的反向恢复问题，这对于采用硬开关或含有反向电流工况的拓扑（如图腾柱PFC）至关重要，可显著降低开关应力和电磁干扰，提升系统效率并延长使用寿命。同时，其高温工作能力（最高150°C结温）使其适用于严苛的工业和通信环境。
　　英飞凌还为SAF1204D提供了完整的应用支持，包括参考设计、SPICE模型、热仿真数据和可靠性测试报告，帮助工程师快速完成产品开发和认证流程。该器件符合RoHS标准，支持绿色环保制造要求。

SAF1204D广泛应用于需要高效率和高功率密度的现代电源系统。典型应用场景包括服务器和数据中心的高效AC/DC电源模块，其中图腾柱无桥PFC级利用其零Qrr特性实现超高效率。在电信整流器中，该器件可用于高频率DC/DC转换级，提升系统效率并缩小体积。工业电源和UPS系统也受益于其高可靠性和宽温度范围工作能力。此外，SAF1204D适用于太阳能微型逆变器和储能系统的DC/AC逆变电路，支持高频率PWM控制以优化能量转换效率。在电动汽车充电设备（如OBC车载充电机和充电桩电源模块）中，该器件有助于实现轻量化和小型化设计。其他应用还包括高端消费类适配器、LED驱动电源以及高频焊接电源等需要紧凑设计和高效能转换的领域。

IGF120N65F3
　　LTVG120N65F3
　　GAU120N65