类型：碳化硅肖特基二极管
　　重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　直流反向电压（VR）：650V
　　平均整流电流（IF(AV)）：45A（在特定散热条件下）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：400A（单个半正弦波，工频）
　　正向电压（VF）：典型值1.5V（在25°C，IF = 45A时）
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：典型值小于1mA（在125°C，VR = 650V时）
　　热阻（RthJC）：约1.2°C/W（取决于封装和测试条件）
　　封装形式：TO-247-3

SACB45的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使其在高压、高频和高温环境中展现出远超传统硅二极管的性能表现。首先，由于碳化硅材料具有宽禁带（~3.2eV），SACB45的反向漏电流极低，即使在高温条件下也能保持良好的关断特性，避免了因漏电流增大导致的功耗上升和热失控风险。其次，该器件为肖特基势垒结构，不存在P-N结的少数载流子存储效应，因此在反向恢复过程中几乎不产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从根本上消除了开关过程中的反向恢复损耗，这对于高频开关电源尤为重要，可显著提升系统整体效率并减少对散热系统的要求。
　　此外，SACB45具备出色的热管理能力。其TO-247封装设计具有较低的热阻（RthJC），能够有效将芯片产生的热量传导至散热器，确保在高负载工况下结温维持在安全范围内。碳化硅材料本身具有较高的热导率（约3.7 W/cm·K），进一步增强了器件的热稳定性。在实际应用中，这意味着SACB45可以在更小的散热器甚至自然冷却条件下运行，有助于缩小电源系统的体积和重量。
　　另一个关键特性是其高电压耐受能力和快速响应能力。650V的额定电压使其适用于大多数中等电压电力转换系统，如400V母线电压的三相整流或光伏逆变器。同时，由于没有反向恢复时间（trr），SACB45在硬开关拓扑中不会引发电压尖峰或振荡，减少了对缓冲电路（snubber circuit）的依赖，简化了电路设计并提高了系统可靠性。此外，该器件在动态应力下的鲁棒性较强，能够承受一定的dv/dt和di/dt冲击，适合在复杂的电磁环境中稳定运行。

SACB45因其卓越的电气和热性能，被广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关电源的输出整流级，特别是在高效率服务器电源和通信电源中，作为同步整流的替代方案，显著降低导通损耗并提升能效。在太阳能光伏逆变器中，SACB45可用于直流侧的防反二极管或交流桥式整流单元，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提高逆变器的整体转换效率，尤其是在轻载和部分负载条件下表现更为突出。
　　在电动汽车相关系统中，SACB45适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）级续流二极管，配合IGBT或SiC MOSFET使用，能够有效抑制反向恢复带来的电磁干扰，并提升系统的工作频率，从而减小滤波元件的体积。此外，在不间断电源（UPS）系统中，SACB45用于逆变器和整流器模块，提供快速响应和高可靠性，确保在市电中断时无缝切换，保障关键设备持续供电。
　　在高功率DC-DC转换器中，如电信基站电源或数据中心电源架构，SACB45作为升压或降压拓扑中的续流二极管，能够在高频开关条件下保持低损耗运行，支持更高功率密度的设计。同时，由于其耐高温特性，也适用于密闭或通风不良的工业环境，如电机驱动器、感应加热设备和工业自动化控制系统中的辅助电源模块。

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　　 "SDCB45AHE3/44",
　　 "SACS45AHE3/44",
　　 "C4D45120D",
　　 "SDB45H65C"
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