SAC8.5-TP 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率晶体管产品,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件广泛应用于需要高效率和高电流能力的电源管理系统,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备等。SAC8.5-TP采用先进的封装技术,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高温和高负载条件下保持稳定的性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:8.5A
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:20V
导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:18nC
功耗:4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
SAC8.5-TP具有多项优良的电气和物理特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,这尤为重要。其次,该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提升开关速度,适用于高频操作环境。
此外,SAC8.5-TP采用了先进的PowerFLAT封装技术,具备优良的热性能,能够有效散热,从而在高负载条件下保持稳定运行。该封装形式还具有较小的体积,有助于节省PCB空间,适合紧凑型设计。
该MOSFET的耐压能力较强,最大漏源电压为30V,适用于多种低压功率应用。其栅源电压范围较宽,可达20V,允许使用标准的驱动电路进行控制。
在可靠性方面,SAC8.5-TP具有较高的热稳定性和抗过载能力,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。同时,其内部结构优化,降低了电磁干扰(EMI),有助于满足EMC标准要求。
SAC8.5-TP适用于多种电源管理和功率控制场景。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统(BMS)、便携式电子设备电源管理模块等。
在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及LED照明驱动电路。在工业自动化设备中,SAC8.5-TP可作为高效率开关元件,用于伺服电机控制、PLC模块电源管理等。
由于其优异的热性能和紧凑封装,SAC8.5-TP也适用于对空间要求严格的便携式设备,如无人机、智能穿戴设备、移动电源等。在这些应用中,该器件能够提供稳定的电流控制能力,同时减少热量积累,提升整体系统效率。
STL8.5N3LLH5A, IPD80N3L04NG, FDP8870, IRF7493