制造商：Skyworks Solutions, Inc.
　　产品类型：射频功率放大器
　　工作频率范围：700 MHz 至 3800 MHz
　　输出功率（Pout）：50 W（典型值）
　　增益：约 30 dB（典型值）
　　电源电压（Vd）：28 V
　　静态漏极电流（Idq）：可调，典型值约 150 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　封装类型：陶瓷法兰封装（Flange-mount Ceramic Package）
　　驻波比耐受能力：可承受3:1 VSWR负载失配
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　线性增益压缩点（P1dB）：约 47 dBm
　　三阶交调截点（OIP3）：典型值 > 57 dBm

SA57250-50GW具备卓越的宽带放大能力，可在700MHz至3800MHz的宽频率范围内稳定工作，使其成为多模多频无线基站的理想选择。其高增益特性（典型30dB）显著降低了前级驱动电路的设计复杂度，允许使用较低功率的激励信号即可达到所需的发射功率水平。该芯片采用内部输入和输出匹配网络设计，极大减少了外围LC元件的使用，提高了生产一致性并降低了调谐成本。这种集成化设计还增强了频率响应的平坦度，在整个工作频带内保持稳定的增益表现。
　　该器件具有出色的线性度和低互调失真性能，尤其适用于处理复杂调制信号如OFDM、16-QAM、64-QAM甚至256-QAM的数字预失真（DPD）系统中。即使在高功率回退（Power Back-off）条件下，SA57250-50GW依然能够维持较高的效率和良好的信号保真度，从而提升整个通信系统的频谱利用率和数据吞吐量。其偏置电路支持可编程栅极电压控制，允许用户根据实际应用场景动态调整静态工作点，实现效率与线性度之间的最佳平衡。
　　热管理方面，SA57250-50GW采用低热阻的陶瓷封装结构，并配备金属法兰底座以便安装散热片或直接连接到系统散热平台，确保在持续高功率输出下芯片结温处于安全范围。器件还具备良好的抗负载失配能力，能够在3:1 VSWR的极端驻波比条件下正常工作而不发生损坏，增强了在野外恶劣环境下的鲁棒性。此外，该芯片符合RoHS环保标准，适用于全球范围内的电信设备部署，且经过严格的老化测试和可靠性验证，保障长期运行的稳定性。

SA57250-50GW主要面向高性能无线通信基础设施领域，特别适用于宏蜂窝基站（Macro Cell Base Stations）、微蜂窝基站（Micro Cells）以及分布式天线系统（DAS）中的射频功率放大模块。它被广泛应用于4G LTE和5G NR（New Radio）sub-6GHz频段的发射链路中，支持多频段融合架构，能够同时处理多个运营商频段的复合信号，满足现代移动网络对高容量和广覆盖的需求。
　　在多载波功率放大（MCPA）系统中，SA57250-50GW凭借其宽带特性与高线性度，可以作为最终级放大器（Final Stage PA）使用，配合数字预失真技术（DPD）实现高效能、低干扰的信号发射。此外，该芯片也适用于公共安全通信、专用无线网络、海上及铁路通信等专业移动无线电（PMR）系统。在需要远距离传输和强穿透能力的应用场景中，例如城市密集区、山区或大型场馆覆盖，SA57250-50GW所提供的50W高输出功率和优异信号质量显得尤为重要。
　　除了传统的地面通信系统，SA57250-50GW还可用于固定无线接入（FWA）设备、CPE（客户终端设备）以及小型化基站（Small Cells）升级方案中。随着5G网络向中频段扩展，该器件在3.3GHz~3.8GHz频段的表现尤为突出，能够支持高达100MHz以上的瞬时带宽信号处理，适应eMBB（增强型移动宽带）业务需求。其高可靠性和环境适应性也使其可用于户外一体化射频单元（RRU）和远程射频模块（Remote Radio Head, RRH）设计中。

AFIC A57250-50G
　　M/A-COM MAAP-011145