SA5518J 时间：2025/12/27 21:27:22 阅读：24

SA5518J是一款由Samsung（三星）公司生产的场效应晶体管（FET），主要用于高频信号放大和开关应用。该器件属于N沟道MOSFET类别，广泛应用于电视、显示器和其他消费类电子设备中的垂直偏转输出电路。SA5518J具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在中等功率条件下长时间运行。其封装形式通常为TO-220或类似的大功率塑料封装，有助于有效散热，确保在高负载工作环境下的稳定性。该器件的设计使其能够承受较高的电压和电流，同时具备较低的导通电阻，从而减少能量损耗并提高整体系统效率。SA5518J常用于替代其他同类垂直输出晶体管，在维修老旧电视和显示器时尤为常见。由于其成熟的技术和稳定的性能表现，SA5518J在工业控制、电源管理和脉冲宽度调制（PWM）电路中也有一定的应用。需要注意的是，尽管该型号仍在部分市场流通，但由于技术迭代，部分新型设计可能已转向更高效的现代MOSFET或集成电路解决方案。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700 V
　　最大漏极电流（ID）：3 A
　　最大耗散功率（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值6.5 Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SA5518J作为一款专为垂直偏转输出设计的高压MOSFET，具备出色的高压耐受能力和稳定的电流驱动性能。其最大漏源电压可达700V，能够在高电压环境下安全工作，适用于老式CRT电视和显示器中的垂直扫描电路。该器件的漏极电流额定值为3A，足以支持大多数中等功率模拟信号处理需求。其50W的最大功耗能力结合TO-220封装的良好散热特性，使得SA5518J在持续高负载运行下仍能保持较低温升，有效延长系统寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围适中，通常在10~15V之间即可实现完全导通，便于与标准驱动IC或分立驱动电路配合使用。其栅极阈值电压在2V至4V之间，保证了对控制信号的灵敏响应，同时避免因噪声干扰导致误触发。SA5518J的导通电阻典型值为6.5Ω，虽然相较于现代低RDS(on) MOSFET略高，但在其设计年代属于合理水平，且在实际应用中通过优化驱动电路可有效降低开关损耗。
　　热稳定性是SA5518J的重要优势之一。其内部结构采用先进的平面工艺制造，具有良好的热传导路径，能够在结温达到+150°C时仍维持正常功能。此外，器件具备一定的抗雪崩能力，可在瞬态过压情况下提供一定保护，减少突发故障风险。尽管没有集成内置续流二极管，但在典型应用电路中通常会外接续流二极管以处理感性负载反电动势，确保系统安全。
　　SA5518J的制造工艺成熟，一致性高，批量使用时参数离散性小，有利于大规模生产中的质量控制。其引脚排列符合标准TO-220规范，便于自动化装配和手工维修。由于长期应用于消费电子领域，该型号积累了丰富的应用案例和技术资料，技术支持相对完善。虽然目前已被更高效器件逐步取代，但在维修市场和特定工业场景中仍具实用价值。

应用

SA5518J主要应用于老式CRT电视和显示器中的垂直偏转输出级，负责将前级驱动信号放大并驱动垂直偏转线圈，实现图像在屏幕上的垂直扫描。其高压大电流特性使其非常适合此类感性负载驱动任务。在这些系统中，SA5518J通常工作在开关模式，配合定时电容和反馈电路生成锯齿波电流，精确控制电子束的垂直移动速度和位置，确保图像稳定显示。
　　此外，该器件也广泛用于各类需要高压开关控制的工业电子设备中，例如小型电源逆变器、脉冲发生器和电机驱动模块。由于其具备较高的电压耐受能力，可用于直流高压开关电路中，执行通断控制功能。在一些老式复印机、传真机和监控设备中，SA5518J也被用作关键功率开关元件。
　　在维修领域，SA5518J是常见的替换元件，尤其在更换损坏的垂直输出管时被广泛选用。技术人员常将其用于修复因偏转电路故障导致的图像压缩、扭曲或无显示等问题。由于其参数与同类器件兼容性较好，常作为多款设备的通用替代方案。
　　尽管随着平板显示技术的普及，CRT设备逐渐退出主流市场，SA5518J的应用范围有所缩小，但在一些特殊场合如教学演示、复古设备维护和工业控制系统中仍有使用。此外，其电气特性也使其适用于实验性高压放大电路或学生实训项目，作为学习MOSFET工作原理的教学元件。