时间：2025/12/28 10:37:10
阅读：8
SA324M 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装整流二极管阵列，专为高密度、高性能电源管理应用而设计。该器件集成了两个肖特基势垒二极管，采用共阴极配置（Common Cathode Configuration），适用于需要高效能和低功耗的电路中。SA324M 采用 SOT-23 封装（Small Outline Transistor），具有体积小、重量轻、易于自动化装配等优点，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制领域。其主要特点包括低正向电压降、快速开关响应时间以及良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，SA324M 符合 RoHS 指令要求，不含铅（Pb-free），支持绿色环保制造工艺。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，SA324M 成为许多现代电子系统中实现高效能量转换的理想选择之一。
类型：双肖特基二极管阵列
配置：共阴极
封装：SOT-23
最大重复反向电压（VRRM）：30 V
最大直流反向电压（VR）：30 V
平均整流电流（IO）：300 mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25 A（8.3ms 半正弦波）
最大正向电压（VF）：500 mV（在 IF = 150 mA 时）
最大反向漏电流（IR）：0.5 μA（在 VR = 30 V，TA = 25°C 时）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：350 K/W（典型值）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：3
SA324M 的核心优势在于其采用了肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒来实现单向导电性，相比传统的 PN 结二极管，具备更低的正向压降和更快的开关速度。这一特性使得 SA324M 在低电压、大电流的应用场景中表现尤为出色，能够显著降低功率损耗，提高整体系统的能效。例如，在电池供电设备中，较低的 VF 可以减少发热并延长电池续航时间。同时，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管的反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大地提升了高频开关电路中的响应能力。
该器件的共阴极配置使其非常适合用于双路输出的电源整流或 OR-ing 二极管应用，比如在冗余电源系统中防止电流倒灌。每个二极管可承受最高 30V 的反向电压，满足大多数低压直流系统的绝缘需求。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但 SA324M 在室温下将 IR 控制在 0.5μA 以内，表现出良好的关断特性。此外，其工作结温可达 +125°C，适用于较为严苛的环境条件。SOT-23 小型化封装不仅节省 PCB 空间，还便于进行回流焊和波峰焊工艺，适合大规模自动化生产。整体而言，SA324M 在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选方案。
SA324M 广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理；在这些设备中，它常被用作电池充电电路中的防反接二极管或用于多电源输入选择逻辑。此外，SA324M 也适用于 DC-DC 转换器的续流二极管（freewheeling diode）或同步整流辅助二极管，帮助提升转换效率。在工业控制系统中，该器件可用于信号隔离、电平移位以及保护敏感电路免受反向电压损害。由于其快速响应特性，SA324M 还适合用于高频开关电源和脉冲宽度调制（PWM）驱动电路中，作为箝位或保护元件。另外，在 USB 供电接口、LDO 后级保护、热插拔电路设计中也能见到其身影。得益于 SOT-23 封装的小型化优势，SA324M 特别适合高密度布局的印刷电路板设计，尤其在空间受限的应用场合下展现出强大的适应能力。无论是用于能量回收、电压叠加还是防止电源冲突，SA324M 都能提供稳定可靠的性能支持。
MBRS3240T1G
RB751S150
