S9418S 时间：2025/8/12 14:58:24 阅读：30

S9418S是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　功耗（PD）：47W
　　导通电阻（RDS(on)）：最大35mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

S9418S具备优异的导通性能和低开关损耗，适用于高频率开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更高的电流承载能力和稳定性。此外，S9418S的封装设计具有良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能保持较低的工作温度。
　　该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提升系统的可靠性和安全性。S9418S的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计并降低了系统复杂度。
　　此外，S9418S适用于多种工业标准，符合RoHS环保要求，广泛用于消费类电子产品、工业控制、电机驱动、DC-DC转换器和电源管理系统等领域。